[發明專利]一種用于太陽電池制造的制絨方法有效
| 申請號: | 201210082970.1 | 申請日: | 2012-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN102634851A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發明(設計)人: | 孫良欣;韋鈞瀚 | 申請(專利權)人: | 北京吉陽技術股份有限公司 |
| 主分類號: | C30B33/10 | 分類號: | C30B33/10;C23F1/40 |
| 代理公司: | 北京市商泰律師事務所 11255 | 代理人: | 毛燕生 |
| 地址: | 100012 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 太陽電池 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于太陽電池制造的制絨方法,屬于太陽電池制造技術領域。
背景技術
太陽能電池制絨段通過制造金字塔來提高光的陷光率,常規的制絨工藝使用氫氧化鈉、異丙醇、硅酸鈉為制絨體系,其中異丙醇有利于絨面金字塔生成的作用。而發明中提到的異戊醇不但有異丙醇一樣的醇類特性,還能極大的促進制絨工藝的穩定性,從而取代異丙醇在制絨中的作用。
現有技術的缺點是:傳統的異丙醇工藝有很大的弊端,穩定性和持續性一直得不到很好的提高,金字塔的均勻性直接影響最終的電性能。
發明內容
本發明的目的在于提供一種用于太陽電池制造的制絨方法。
本發明使用異戊醇替代異丙醇,通過溶液配比,大幅度降低生產時間和藥品用量,提高生產穩定性與持久性。太陽能電池制絨段通過制造金字塔來提高光的陷光率,常規的制絨工藝使用氫氧化鈉、異丙醇、硅酸鈉為制絨體系,其中異丙醇有利于絨面金字塔生成的作用。
而發明中提到的異戊醇不但有異丙醇一樣的醇類特性外,還能極大的促進制絨工藝的穩定性,從而取代異丙醇在制絨中的作用。具體為:在一定的溫度下,少量的異戊醇能更加有效降低表面張力,促進均勻金字塔的形成,降低藥品用量,從而達到降低生產成本的目的。
本發明提供了一種用于太陽電池制造的制絨方法;含有以下步驟:
(1)清洗制絨槽:用純水反復的清洗槽體沖洗掉槽中的雜質,清洗到中性;
制絨時候溶液的組成部分重量配比比例:
氫氧化鈉500g-1500g,硅酸鈉400g-850g;
乙醇0.5L-1L;異丙醇1.5L-2L;甘油1.2L-3L;異丁醇0.6L-2L;
(2)提高槽體內溫度到75-85攝氏度:制造絨面,形成金字塔;
(3)制絨20分鐘-25分鐘:保證金字塔的生長與形成;
(4)使用QDR(一種讓槽體中水在6s內排空,利用水的快排沖力清洗雜質的清洗方式)快排清洗方式清洗:清洗硅片表面防止藥液殘留;
(5)經過正常的其他段工藝擴散、PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)、絲印后觀察效率。
以上技術方案基于業內最常見,運用最廣泛的制絨設備,任何地域,時間有效。
與傳統氫氧化鈉、硅酸鈉、異丙醇體系相比較,本發明比該體系氫氧化鈉初配少200g-300g,異戊醇比異丙醇用量少4L-7L,傳統工藝制絨能持續生產10-20批,本發明可以持續生產35-40批,工藝窗口優于傳統工藝。
本發明能極大的促進制絨工藝的穩定性,從而取代異丙醇在制絨中的作用。具體為:在一定的溫度下,少量的異戊醇能更加有效降低表面張力,促進均勻金字塔的形成,降低藥品用量,從而達到降低生產成本的目的。
具體實施方式
混醇是指乙醇、異丙醇、異丁醇、甘油混合體系。
實施例1:
一種用于太陽電池制造的制絨方法;含有以下步驟:
以異戊醇代替異丙醇的制絨工藝:
(1)清洗制絨槽:用純水反復的清洗槽體沖洗掉槽中的雜質,如果沒有清洗到中性,會極大的影響到制絨結果,影響制絨外觀和電性能;
(2)提高槽體內溫度到75-85攝氏度:制造絨面,形成金字塔;
(3)制絨20分鐘-25分鐘:保證金字塔的生長與形成;
(4)使用QDR(一種讓槽體中水在6s內排空,利用水的快排沖力清洗雜質的清洗方式)快排清洗方式清洗:清洗表面殘液防止藥液殘留;
(5)經過正常的其他段工藝擴散、PECVD、絲印后觀察效率。
本發明步驟(1)中所訴的清洗制絨槽工藝清洗次數為1-10次,直到清洗到中性。如果有殘液殘留,會直接影響到電池片的外觀和最終電性能。
本發明步驟(2)中所訴的制絨槽溫度為50-100℃。如果沒有在合適的溫度內,電池片絨面會不均勻,金字塔大小偏差大,影響折射率。
本發明步驟(3)中所訴的制絨時間為10-30mins。如果沒有在合適的制絨時間內,不會形成金字塔,或者是金字塔過腐蝕,影響最終電性能。
本發明步驟(4)中所訴的QDR清洗次數為1-5次,時間為80-300s。異戊醇是很粘稠的制劑,如果沒有有效的清洗去除制絨后的殘液,將會對后段的生產有很大的負面影響。
實施例2:
一種用于太陽電池制造的制絨方法;含有以下步驟:
(1)反復清洗制絨槽至中性;
(2)1500g氫氧化鈉,850g硅酸鈉;
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