[發明專利]MEMS器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201210082544.8
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN103130174A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 李德浩;謝元智
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種方法，包括：

在襯底的正面上形成微電子機械系統(MEMS)器件；

在形成所述MEMS器件的步驟之后，從所述襯底的背面蝕刻穿透開口，從而將所述襯底分隔成第一部分與第二部分；

用介電材料填充所述穿透開口，其中所述介電材料使所述第一部分與所述第二部分隔離；以及

在所述襯底的背面上形成電連接件，其中，所述電連接件通過所述第一部分電連接至所述MEMS器件。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述MEMS器件的步驟包括在高溫下實施的高溫工藝，并且其中，所述介電材料包含在所述高溫下易損的低溫材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，用同質介電材料填充整個所述穿透開口。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述介電材料包括感光材料。

5.一種方法，包括：

在襯底的正面上形成微電子機械系統(MEMS)器件；

在所述襯底的所述正面上接合蓋頂以覆蓋所述MEMS器件；

在接合所述蓋頂之后從所述襯底的背面形成穿透開口；

用介電材料填充所述穿透開口，其中，所述介電材料使所述襯底的第一部分與所述襯底的第二部分電隔離；以及

在所述襯底的所述背面上形成電連接件，其中，通過所述襯底的所述第一部分將所述電連接件電連接至所述MEMS器件。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，在形成所述MEMS器件的步驟之后，實施形成所述穿透開口的步驟。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述介電材料在高于約150℃的溫度下易損。

8.一種器件，包括：

襯底；

微電子機械系統(MEMS)器件，位于所述襯底的正面上；

穿透所述襯底的介電材料，其中，所述介電材料形成環，其中所述環全部由同質材料形成，并且其中，所述環將所述襯底分隔成：

第一部分，被所述環環繞；以及

第二部分，位于所述環的外部，其中所述第一部分與所述第二部分電隔離；以及

電連接件，位于所述襯底的背面上，其中，所述電連接件通過所述襯底的所述第一部分電連接至所述MEMS器件。

9.根據權利要求8所述的器件，其中，所述襯底包括摻雜有p-型雜質或n-型雜質的硅襯底。

10.根據權利要求9所述的器件，其中，所述MEMS器件包括電容器，并且其中，所述電連接件電連接至所述電容器的電容器極板。