[發明專利]一種能消除晶圓表面彩紋的光刻工藝方法

有效

• 申請號: 201210081780.8
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN103365075B
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 胡林;陳蕾;鮑曄;周孟興
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙)31249
• 代理人: 張靜潔,徐雯瓊

1.一種能消除晶圓表面彩紋的光刻工藝方法，其特征在于，具體包含以下步驟：

步驟1、在旋轉機帶動載片臺（1）及晶圓（2）一同旋轉時，向晶圓（2）的表面持續涂覆稀釋劑（3）；

步驟2、在旋轉機帶動載片臺（1）及晶圓（2）一同旋轉時，向晶圓（2）的表面涂覆光刻膠（5）；

步驟3、光刻膠成膜；

步驟4、洗邊，即利用光阻去除溶劑清洗晶圓邊緣位置處的光刻膠；

步驟5、旋干殘留在晶圓邊緣位置處的光阻去除溶劑；

其中，所述步驟1具體包含以下子步驟：

步驟1.1、移動光阻手臂，直至該移動光阻手臂上的稀釋劑噴嘴（4）位于晶圓（2）中心位置的上方；

步驟1.2、啟動旋轉機并帶動載片臺（1）及晶圓（2）一同旋轉，調整旋轉機的旋轉速度依次處于500轉/分鐘、1000轉/分鐘、1500轉/分鐘和500轉/分鐘各2秒，或者調整旋轉機的旋轉速度依次處于600轉/分鐘、1200轉/分鐘、1800轉/分鐘和600轉/分鐘各1.5秒，或者調整旋轉機的旋轉速度依次處于300轉/分鐘、600轉/分鐘、900轉/分鐘和300轉/分鐘各3秒，并在各個不同轉速階段持續涂覆稀釋劑（3），該稀釋劑（3）由稀釋劑噴嘴（4）中噴射出并涂覆在晶圓（2）的表面上；

步驟1.3、稀釋劑噴嘴（4）停止向晶圓表面涂覆稀釋劑（3），并保持旋轉機帶動載片臺（1）及晶圓（2）一起旋轉，使得稀釋劑（3）在離心力的作用下均勻散布至整個晶圓（2）的表面，對晶圓（2）的表面進行預濕處理。

2.如權利要求1所述的能消除晶圓表面彩紋的光刻工藝方法，其特征在于，所述步驟2具體包含以下子步驟：

步驟2.1、移動光阻手臂，直至該移動光阻手臂上的光阻噴嘴（6）位于晶圓（2）中心位置的上方；

步驟2.2、保持旋轉機旋轉，并帶動載片臺（1）上的晶圓（2）一同旋轉，同時，光刻膠（5）由光阻噴嘴（6）中噴射出并涂覆在晶圓（2）上，直至晶圓表面全部被光刻膠覆蓋。

3.如權利要求1所述的能消除晶圓表面彩紋的光刻工藝方法，其特征在于，所述步驟3具體包含以下子步驟：

步驟3.1、移動光阻手臂，使其離開晶圓（2）的上方并返回至原始位置；

步驟3.2、保持旋轉機旋轉，并帶動載片臺（1）上的晶圓（2）一同旋轉，使得涂覆在晶圓（2）表面的光刻膠（5）均勻覆蓋，并且使得光刻膠（5）干燥從而形成光阻薄膜（7）。

4.如權利要求1所述的能消除晶圓表面彩紋的光刻工藝方法，其特征在于，所述步驟4具體包含以下子步驟：

步驟4.1、移動邊緣光阻去除手臂至晶圓（2）的邊緣位置的上方；

步驟4.2、保持旋轉機旋轉，并帶動載片臺（1）上的晶圓（2）一同旋轉，同時，光阻去除溶劑（8）由邊緣光阻去除噴嘴（9）噴射出，對位于晶圓（2）的邊緣位置的光刻膠進行清洗切除；

步驟4.3、利用位于晶圓（2）的邊緣下方的背面沖洗機（10）對晶圓（2）的背面噴灑光阻去除溶劑進行沖洗以去除光刻膠。

5.如權利要求1所述的能消除晶圓表面彩紋的光刻工藝方法，其特征在于，所述步驟5具體包含以下子步驟：

步驟5.1、移動邊緣光阻去除手臂，使其離開晶圓上方并返回至原始位置；

步驟5.2、保持旋轉機旋轉，并帶動載片臺（1）上的晶圓（2）一同旋轉，利用離心力的作用干燥殘留在晶圓表面和背面的光阻去除溶劑；

步驟5.3、關閉旋轉機，載片臺（1）及晶圓（2）停止旋轉，完成對晶圓（2）表面涂覆光刻膠的制程。