[發(fā)明專利]穿透式主動(dòng)數(shù)組電致變色顯示設(shè)備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210080880.9 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103323997A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李炳寰;田孝通;吳巖璋;田旭清 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 亞樹科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/153 | 分類號(hào): | G02F1/153;G02F1/155 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 王晶 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)南市新*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 穿透 主動(dòng) 數(shù)組 變色 顯示 設(shè)備 | ||
1.一種穿透式主動(dòng)數(shù)組電致變色顯示設(shè)備,其特征在于,至少包括:
一第一電極,其包括:
一第一基板;
至少兩個(gè)主動(dòng)組件,作為至少兩個(gè)影像元素,被覆鑲嵌于第一基板的表面,用以控制電致變色顯示設(shè)備的電位能;
一第一導(dǎo)體層,配置于主動(dòng)組件的表面,并電耦合于主動(dòng)組件;
一第一半導(dǎo)體層,配置于第一導(dǎo)體層的表面;以及
一電致變色團(tuán),配置于第一半導(dǎo)體層的表面;
一第二電極,其包括:
一第二基板;
一第二導(dǎo)體層,配置于第二基板的一表面;以及
一第二半導(dǎo)體層,配置于第二導(dǎo)體層的表面;
一電解質(zhì),填充于第一電極與第二電極之間;以及
一背光板,配置于第二基板的另一表面,用以提供可視光源;
其中第一半導(dǎo)體層選自于二氧化鈦、三氧化鎢、三氧化鉬、氧化鋅、氧化鈮、氧化銥以及二氧化錫之一者;第二半導(dǎo)體層通常選自于氧化釩、氧化鎳、氧化鉻、氧化錳、氧化鐵、氧化銅、氧化銠之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致變色顯示設(shè)備,其特征在于,每個(gè)影像元素皆具有對(duì)應(yīng)的主動(dòng)組件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致變色顯示設(shè)備,其特征在于,所述主動(dòng)組件選自n通道金氧半場(chǎng)效晶體管、p通道金氧半場(chǎng)效晶體管與互補(bǔ)金氧半場(chǎng)效晶體管的一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致變色顯示設(shè)備,其特征在于,所述主動(dòng)組件包括一閘極、一源極與一汲極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致變色顯示設(shè)備,其特征在于,所述主動(dòng)組件所覆蓋于第一基板的面積小于第一半導(dǎo)體層面積的二分之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致變色顯示設(shè)備,其特征在于,所述第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層為一透明奈米結(jié)構(gòu)的金屬氧化物半導(dǎo)體膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致變色顯示設(shè)備,其特征在于,所述第一基板與第二基板選自于透明的玻璃或塑料之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致變色顯示設(shè)備,其特征在于,所述第一導(dǎo)體與第二導(dǎo)體層選自于氧化銦钖、氧化鋁鋅與摻氟氧化錫薄膜之一。
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