[發明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理方法有效
| 申請號： | 201210080267.7 | 申請日： | 2012-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN102693892A | 公開（公告）日： | 2012-09-26 |
| 發明（設計）人： | 村上貴宏 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/04 | 分類號： | H01J37/04;H01J37/305;H01L21/3065;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 處理 裝置 方法 | ||
1.一種等離子體處理裝置，其為平行平板型的等離子體處理裝置，在設置于真空容器內的兼作第一電極的載置臺上載置基板，在該第一電極與第二電極之間施加高頻電力使處理氣體等離子體化，利用所得到的等離子體對所述基板進行等離子體處理，所述等離子體處理裝置的特征在于，包括：
在暴露于所述等離子體中的區域設置的直流電壓施加用電極；
向所述直流電壓施加用電極施加直流電壓的直流電壓電源部；
清潔氣體供給部，其供給用于對所述真空容器內進行清潔的清潔氣體；和
控制部，其輸出控制信號以實施以下步驟：在所述載置臺上不存在基板的狀態下，向處理容器內供給清潔氣體的步驟；在所述第一電極與第二電極之間施加高頻電力使清潔氣體等離子體化的步驟；和在使清潔氣體等離子體化的期間對所述直流電壓施加用電極施加直流電壓的步驟。
2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述等離子體處理是使用CF類氣體對基板進行蝕刻的處理，
所述清潔氣體是氧氣。
3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
對所述直流電壓施加用電極施加的直流電壓為-200V～-320V。
4.一種等離子體處理方法，其特征在于，包括：
在設置于真空容器內的兼作第一電極的載置臺上載置基板，在該第一電極與和該第一電極相對的第二電極之間施加高頻電力使處理氣體等離子體化，利用所得到的等離子體對基板進行等離子體處理的工序；
在所述載置臺上不存在基板的狀態下，向處理容器內供給清潔氣體，在所述第一電極與所述第二電極之間施加高頻電力，使清潔氣體等離子體化的工序；
在進行所述使清潔氣體等離子體化的工序時，對在暴露于所述等離子體中的區域設置的直流電壓施加用電極施加直流電壓的工序。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社，未經東京毅力科創株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210080267.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：集成電路結構
- 下一篇：一種電致磷光發光材料及其制備方法
