[發明專利]半導體裝置及制造半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201210078793.X
• 申請日: 2012-03-23
• 公開（公告）號: CN102694006B
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發明（設計）人: 本田達也;小俁貴嗣;野中裕介
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/04
• 分類號: H01L29/04;H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 陳華成

1.一種半導體裝置，包括：

絕緣膜，其中所述絕緣膜包括其平均表面粗糙度小于0.5nm的表面；以及

晶體氧化物半導體膜，所述晶體氧化物半導體膜包括設置在其平均表面粗糙度小于0.5nm的所述表面之上并與之接觸的晶體，

其中所述晶體的c軸基本上與所述絕緣膜的所述表面垂直，并且

其中所述晶體氧化物半導體膜包括銦和鋅。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述絕緣膜包括氧。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述絕緣膜是氧化硅膜或者氧氮化硅膜。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述絕緣膜是通過熱氧化硅襯底的表面而形成的氧化硅膜。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述絕緣膜的所述表面是通過CMP處理形成的。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置結合到選自計算機、便攜式信息終端、移動電話、照相機和電視裝置中的一種當中。

7.一種半導體裝置，包括：

第一絕緣膜，其中所述第一絕緣膜包括其平均表面粗糙度小于0.5nm的表面；

晶體氧化物半導體膜，所述晶體氧化物半導體膜包括設置在其平均表面粗糙度小于0.5nm的所述表面之上并與之接觸的晶體；

與所述晶體氧化物半導體膜接觸地設置的源極電極和漏極電極；

設置在所述晶體氧化物半導體膜之上的第二絕緣膜；以及

設置在所述第二絕緣膜之上的柵極電極，

其中所述晶體的c軸基本上與所述第一絕緣膜的所述表面垂直，并且

其中所述晶體氧化物半導體膜包括銦和鋅。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一絕緣膜包括氧。

9.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一絕緣膜是氧化硅膜或者氧氮化硅膜。

10.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一絕緣膜是通過熱氧化硅襯底的表面而形成的氧化硅膜。

11.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一絕緣膜的所述表面是通過CMP處理形成的。

12.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置結合到選自計算機、便攜式信息終端、移動電話、照相機和電視裝置中的一種當中。

13.一種制造半導體裝置的方法，包括以下步驟：

形成絕緣膜，所述絕緣膜包括平均表面粗糙度小于0.5nm的表面；以及

在加熱時形成包括在其平均表面粗糙度小于0.5nm的所述表面之上的晶體的晶體氧化物半導體膜，使得所述晶體的c軸基本上與所述絕緣膜的所述表面垂直，

其中所述晶體氧化物半導體膜包括銦和鋅。

14.如權利要求13所述的制造半導體裝置的方法，其中所述絕緣膜包括氧。

15.如權利要求13所述的制造半導體裝置的方法，其中所述絕緣膜是氧化硅膜或者氧氮化硅膜。

16.如權利要求13所述的制造半導體裝置的方法，其中所述絕緣膜是通過熱氧化硅襯底的表面而形成的氧化硅膜。

17.如權利要求13所述的制造半導體裝置的方法，其中所述絕緣膜的所述表面是通過CMP處理形成的。

18.如權利要求13所述的制造半導體裝置的方法，其中所述晶體氧化物半導體膜是在氧氣氛中形成的。

19.如權利要求13所述的制造半導體裝置的方法，還包括在形成所述晶體氧化物半導體膜之后對所述晶體氧化物半導體膜執行熱處理的步驟。

20.如權利要求13所述的制造半導體裝置的方法，其中所述半導體裝置結合到選自計算機、便攜式信息終端、移動電話、照相機和電視裝置中的一種當中。