[發明專利]晶片分割方法

有效

• 申請號: 201210077900.7
• 申請日: 2012-03-22
• 公開（公告）號: CN102693942A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 田中圭
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/36
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

技術領域

本發明涉及沿著分割預定線對半導體晶片等晶片進行分割的晶片分割方法。

背景技術

針對表面形成有多個IC、LSI等器件、并通過形成為格子狀的被稱作間隔道的分割預定線對各個器件進行劃分后的半導體晶片，利用切削裝置沿著間隔道進行切削，由此分割為各個器件，分割后的器件被廣泛應用于移動電話、個人計算機等各種電氣設備。

借助劃片帶將晶片支撐在環狀框上，并在該狀態下搭載于切削裝置的卡盤臺。在晶片的切削中，廣泛使用了具有可旋轉地支撐切削刀具的切削單元的被稱作劃片機(dicer)的切削裝置。

切削刀具具有通過金屬或樹脂將金剛石、CBN等超磨粒固在一起而得到的厚度20～40μm左右的環狀的切削刃，將該切削刃定位于分割預定線，使切削刀具一邊以30000rpm左右的高速旋轉一邊切入晶片，并對卡盤臺進行加工進給，由此來切削晶片而形成分割槽，將晶片分割為各個器件。

【專利文獻1】日本特開平10-312979號公報

但是，在用切削刀具沿著分割預定線切削晶片而形成分割槽，并將晶片分割為各個器件時，存在如下問題：在分割槽兩側的晶片的背面側會產生較大的缺口，使器件的抗折強度降低。

不限于IC、LSI等器件，在像用切削刀具切削石英板來形成石英振子的情況那樣切削不具有電路的器件的情況下，也同樣會產生這種問題。

發明內容

本發明正是鑒于這種問題而完成的，其目的在于，提供一種不會在背面側產生較大缺口的晶片分割方法。

根據本發明，提供一種晶片分割方法，針對通過分割預定線進行劃分而在正面形成有多個器件的晶片，將該晶片分割為各個器件，該晶片分割方法的特征在于，具有以下工序：第1保持工序，用激光加工裝置的卡盤臺保持晶片；改性層形成工序，將對于晶片具有透射性的波長的激光束的聚光點對準于晶片內部而照射該激光束，在該分割預定線的兩側的晶片背面側形成一對改性層，這一對改性層的間隔比切削刀具的切削刃的寬度大，且比該分割預定線的寬度?。痪迟N工序，將晶片粘貼到外周部被粘貼于環狀框的劃片帶上；第2保持工序，在實施該改性層形成工序和該晶片粘貼工序后，利用切削裝置的卡盤臺隔著該劃片帶來保持晶片；以及分割工序，用切削刀具切削該各分割預定線，將晶片分割為各個器件。

根據本發明的晶片分割方法，在實施通過切削刀具將晶片分割為各個器件的分割工序前，實施改性層形成工序，在所述改性層形成工序中，向晶片照射對于晶片具有透射性的波長的激光束，在分割預定線的兩側且處于晶片背面側的位置形成一對改性層，這一對改性層具有比切削刀具的切削刃的寬度大、且比分割預定線的寬度小的間隔，因此，利用形成于分割預定線兩側的改性層，阻斷了切削刃的破碎力，從而不會在形成于晶片背面側的分割槽兩側產生較大的缺口。

附圖說明

圖1是示出在半導體晶片的正面側粘貼保護帶的狀態的分解立體圖。

圖2是示出用激光加工裝置的卡盤臺對粘貼在半導體晶片的正面的保護帶側進行吸附保持的狀態的分解立體圖。

圖3是說明改性層形成工序的立體圖。

圖4是激光束產生單元的框圖。

圖5是借助劃片帶支撐在環狀框上的半導體晶片的立體圖。

圖6是示出用切削刀具切削半導體晶片時的狀態的立體圖。

圖7是晶片切削時的晶片的縱剖面圖。

標號說明

10：激光加工裝置；11：半導體晶片；13：分割預定線(間隔道)；14：激光束產生單元；15：器件；18：聚光器；20：攝像單元；34：改性層；36：切削裝置；44：切削刀具；44a：切削刃；52：切削槽(分割槽)。

具體實施方式

下面，參照附圖來詳細地說明本發明的實施方式。參照圖1，示出了在半導體晶片11的正面11a粘貼保護帶23的狀態的分解立體圖。

半導體晶片11由例如厚度為700μm的硅晶片構成，在正面11a中，格子狀地形成有多個分割預定線(間隔道)13，并且，在由多個分割預定線13劃分出的各區域中分別形成有IC、LSI等器件15。

這樣構成的晶片11具有：形成有器件15的器件區域17和圍繞器件區域17的外周剩余區域19。此外，在晶片11的外周形成有作為表示硅晶片的晶向的標記的凹口21。

在本發明的晶片分割方法中，為了對形成于晶片11的正面11a的器件15進行保護，如圖1所示，在晶片11的正面11a粘貼保護帶23。