[發(fā)明專利]濺射靶、氧化物半導(dǎo)體膜及半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210074459.7
• 申請日: 2008-02-28
• 公開（公告）號: CN102593161A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 井上一吉;矢野公規(guī);笠見雅司
• 申請（專利權(quán)）人: 出光興產(chǎn)株式會社
• 主分類號: H01L29/20
• 分類號: H01L29/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述半導(dǎo)體器件將含有銦的結(jié)晶質(zhì)氧化物用作半導(dǎo)體，

所述結(jié)晶質(zhì)氧化物的電子載體濃度不到10¹⁸/cm³，

所述結(jié)晶質(zhì)氧化物含有除了所述銦以外的正三價元素，

所述正三價元素為B、Al、Ga、Sc及Y中的至少一種以上元素，

所述正三價元素的原子數(shù)[M3]相對所述結(jié)晶質(zhì)氧化物中含有的全部金屬元素的原子數(shù)[A]的原子比為

0.001≤[M3]/[A]＜0.2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述結(jié)晶質(zhì)氧化物為非退化半導(dǎo)體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述結(jié)晶質(zhì)氧化物含有正二價元素。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述正二價元素為Zn、Mg、Ni、Co及Cu中的至少一種以上元素。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述正二價元素的原子數(shù)[M2]相對所述結(jié)晶質(zhì)氧化物中含有的全部金屬元素的原子數(shù)[A]的原子比為

0.001≤[M2]/[A]＜0.2。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

通過至少改變所述[M2]相對所述[A]的原子比，使所述結(jié)晶質(zhì)氧化物的相對電子載體濃度的電子遷移率成對數(shù)比例地增加。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

通過至少改變所述[M3]相對所述[A]的原子比，使所述結(jié)晶質(zhì)氧化物的相對電子載體濃度的電子遷移率成對數(shù)比例地增加。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述結(jié)晶質(zhì)氧化物具有PAN耐性。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述結(jié)晶質(zhì)氧化物中的Li及Na的濃度為1000ppm以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

將所述結(jié)晶質(zhì)氧化物用作場效應(yīng)晶體管中的通道層。