[發明專利]III族氮化物半導體發光器件

有效

• 申請號: 201210073046.7
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN102694101A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 戶谷真悟;矢羽田孝輔;石黑雄也
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/46
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國

1.一種III族氮化物半導體發光器件，具有設置在絕緣膜中的Ag或Ag合金反射膜，所述反射膜的至少一部分經由所述絕緣膜位于p型層和具有透明性的p接觸電極中的至少之一與n引線電極之間的區域中，其中經由所述絕緣膜在所述n引線電極與所述區域的反射膜之間形成有導電膜，并且所述導電膜電連接至所述p接觸電極和所述p型層中的至少之一。

2.根據權利要求1所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述p接觸電極包括ITO電極。

3.根據權利要求1所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述p接觸電極具有作為所述p接觸電極的一部分的中間電極，并且所述導電膜經由所述中間電極連接至所述p接觸電極。

4.根據權利要求2所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述p接觸電極具有作為所述p接觸電極的一部分的中間電極，并且所述導電膜經由所述中間電極連接至所述p接觸電極。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述導電膜形成為具有與包括所述n引線電極在平面視圖上的正交投影的面積相同的面積或比所述面積大。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述導電膜形成為具有與包括所述反射膜在平面視圖上的正交投影的面積相同的面積或比所述面積大。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的III族氮化物半導體發光器件，其中設置有p引線電極用于連接至所述p接觸電極和所述p型層中的至少之一，并且通過將所述導電膜連接至所述p引線電極，使得所述導電膜經由所述p引線電極連接至所述p接觸電極和所述p型層中的至少之一。

8.根據權利要求5所述的III族氮化物半導體發光器件，其中設置有p引線電極用于連接至所述p接觸電極和所述p型層中的至少之一，并且通過將所述導電膜連接至所述p引線電極，使得所述導電膜經由所述p引線電極連接至所述p接觸電極和所述p型層中的至少之一。

9.根據權利要求6所述的III族氮化物半導體發光器件，其中設置有p引線電極用于連接至所述p接觸電極和所述p型層中的至少之一，并且通過將所述導電膜連接至所述p引線電極，使得所述導電膜經由所述p引線電極連接至所述p接觸電極和所述p型層中的至少之一。

10.根據權利要求1至4中任一項所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述導電膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。

11.根據權利要求5所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述導電膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。

12.根據權利要求6所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述導電膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。

13.根據權利要求7所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述導電膜包括Al、Ti、Cr和ITO中的至少之一。

14.根據權利要求1至4、8、9以及11至13中任一項所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述發光器件為倒裝芯片型。

15.根據權利要求5所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述發光器件為倒裝芯片型。

16.根據權利要求6所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述發光器件為倒裝芯片型。

17.根據權利要求7所述的III族氮化物半導體發光器件，其中所述發光器件為倒裝芯片型。