[發(fā)明專利]基于異向介質(zhì)的光電器件抗反射層結構無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210072386.8 | 申請日： | 2012-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN102593192A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孫洪文;朱玉峰;仇浩;萬萍;范瑞 | 申請（專利權）人： | 河海大學常州校區(qū) |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 常州市科誼專利代理事務所 32225 | 代理人： | 孫彬 |
| 地址： | 213022 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 介質(zhì) 光電 器件 反射層 結構 | ||
【權利要求書】：
1.?一種基于異向介質(zhì)的光電器件抗反射層結構，其特征在于：該抗反射層由具有負介電常數(shù)和負磁導率的異向介質(zhì)材料制成，且異向介質(zhì)呈周期性排列結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于異向介質(zhì)的光電器件抗反射層結構，其特征在于：所述的周期性排列結構為萬字型結構或花狀陣列結構或漁網(wǎng)狀結構或諧振環(huán)結構。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
