[發明專利]半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201210071923.7 | 申請日： | 2012-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN102683427A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 西井昭人;中村勝光 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霽晨;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，其特征在于，具備：
N型漂移層；
在所述N型漂移層上設置的P型陽極層；
貫通所述P型陽極層的溝槽；
隔著絕緣膜埋入到所述溝槽內的導電性物質；以及
設置于所述N型漂移層與所述P型陽極層之間，具有比所述N型漂移層高的雜質濃度的N型緩沖層。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，
使所述溝槽的寬度在1.2μm以下。
3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，
使所述N型緩沖層的雜質濃度在1×1017cm-3以下。
4.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，具備：
在N型漂移層的上表面形成P型陽極層的工序；
在所述N型漂移層的下表面的第1區域有選擇地形成N+型陰極層的工序；以及
在與所述N型漂移層的下表面的所述第1區域不同的第2區域有選擇地形成P型陰極層的工序。
5.一種半導體器件，其特征在于，具備：
N型漂移層；
在所述N型漂移層上的一部分上設置的P型陽極層；
連接于所述P型陽極層的陽極電極；以及
設置于P型陽極層的外端部與所述陽極電極之間的絕緣膜，
所述P型陽極層的外端與所述絕緣膜的內端之間的長度為100μm以上。
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