[發(fā)明專利]具有厚溝槽底部氧化物的MOSFET器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210071875.1
• 申請(qǐng)日: 2012-03-16
• 公開（公告）號(hào): CN102683411A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸贊毫;阿肖克·沙拉;瑞圖·索迪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 飛兆半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 李丙林;張英

1.一種裝置，包括：

第一溝槽氧化物，位于外延層的第一溝槽中，并且具有位于所述第一溝槽氧化物的柵極部分下方的溝槽底部氧化物；以及

位于所述第一溝槽旁側(cè)的第二溝槽，所述第一氧化物的所述溝槽底部氧化物具有大于在所述外延層中從所述第一溝槽到所述第二溝槽的距離的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二溝槽包括溝槽底部氧化物，所述第一溝槽氧化物的所述溝槽底部氧化物和所述第二溝槽氧化物的所述溝槽底部氧化物全部具有被構(gòu)造為沿著整個(gè)所述距離消耗所述外延層的電荷密度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一溝槽限定至少一部分的第一MOSFET器件，并且當(dāng)所述MOSFET器件處于斷開狀態(tài)時(shí)，沿著從所述第一溝槽到所述第二溝槽的整個(gè)所述距離消耗所述外延層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一溝槽氧化物的所述溝槽底部氧化物的厚度大于從所述第一溝槽到所述第二溝槽的所述距離的兩倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括：

柵電極，位于所述溝槽底部氧化物上方的所述第一溝槽中，并且大體上在所述第一溝槽氧化物的所述柵極部分旁側(cè)；以及

漏極觸點(diǎn)，位于所述第一溝槽和所述第二溝槽的下方。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括：

位于所述外延層下方的基板，至少一部分的所述第一溝槽氧化物的所述溝槽底部氧化物位于所述基板中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述外延層具有第一導(dǎo)電性類型，

所述裝置進(jìn)一步包括：

柵電極，位于所述溝槽底部氧化物上方的所述第一溝槽內(nèi)并且大體上位于所述第一溝槽氧化物的所述柵極部分旁側(cè)；以及

本體區(qū)，位于所述外延層上方并且位于所述第一溝槽氧化物的所述柵極部分和位于所述第二溝槽內(nèi)的第二溝槽氧化物的柵極部分之間，所述本體區(qū)具有不同于所述第一導(dǎo)電性類型的第二導(dǎo)電性類型，當(dāng)在所述本體區(qū)中形成通道以響應(yīng)施加于所述柵電極的電壓時(shí)，所述本體區(qū)被構(gòu)造為將電流從所述本體區(qū)輸送到所述外延層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，如果所述溝槽底部氧化物包括屏蔽電極，則所述溝槽底部氧化物具有小于柵極電容的輸出電容。

9.一種裝置，包括：

第一溝槽氧化物，具有位于第一柵電極的中間部分下方的部分；

第二溝槽氧化物，具有位于第二柵電極下方的部分；以及

外延層，具有從所述第一溝槽氧化物延伸至所述第二溝槽氧化物的部分，所述第一溝槽氧化物的部分具有大于從所述第一溝槽氧化物延伸至所述第二溝槽氧化物的所述外延層部分的寬度的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，進(jìn)一步包括：

本體區(qū)，位于所述第一溝槽氧化物和所述第二溝槽氧化物之間；以及

由所述外延層和所述本體區(qū)的界面限定的結(jié)，所述第二溝槽氧化物沿著大體上垂直于所述結(jié)的軸排列。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述第一溝槽氧化物部分的厚度為所述柵電極的底面和所述第一溝槽氧化物的部分的底面之間的距離，所述第一溝槽氧化物的部分不包括屏蔽電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述第一溝槽氧化物的部分的厚度大于所述外延層部分的寬度的兩倍。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述第一溝槽氧化物的厚度小于所述外延層部分的寬度的三倍。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述第一溝槽氧化物部分被構(gòu)造為偏移所述外延層部分內(nèi)的電荷。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述外延層具有第一導(dǎo)電性類型，

所述裝置進(jìn)一步包括：

本體區(qū)，位于所述外延層上方并且位于所述第一柵電極和所述第二柵電極之間，所述本體區(qū)具有第二導(dǎo)電性類型，當(dāng)在所述本體區(qū)中形成通道以響應(yīng)于被激活的所述第一柵電極時(shí)，所述本體區(qū)被構(gòu)造為將電流從所述本體區(qū)輸送到所述外延層。