[發明專利]導電元件及其制造方法、配線元件、信息輸入裝置和母版

無效

• 申請號: 201210071803.7
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN102695363A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 梶谷俊一;林部和彌
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K3/00;G02F1/1343;G02F1/167;G06F3/041
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;梁韜

1.一種導電元件，包括：

基體，具有第一波面、第二波面和第三波面；

第一層，設置在所述第一波面上；

第二層，設置在所述第二波面上；

其中，所述第一層具有層疊有兩個以上的子層的多層結構；

第二層具有包括構成所述第一層的一部分子層的單層結構或多層結構，

所述第一層和所述第二層形成導電圖案部分，并且

所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面滿足以下關系：

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8

其中，Am為所述第一波面的振動的平均振幅，Am2為所述第二波面的振動平均振幅，Am3為所述第三波面的振動的平均振幅，λm1為所述第一波面的平均波長，λm2為所述第二波面的平均波長，而λm3為所述第三波面的平均波長。

2.根據權利要求1所述的導電元件，

其中，所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面滿足以下關系：

(Am1/λm1)＝0并且0＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，

并且

所述第二波面的波長λ2和所述第三波面的波長λ3均等于或小于可見光的波長。

3.根據權利要求1所述的導電元件，

其中，所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面滿足以下關系：

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，并且

所述第一波面的波長λ1、所述第二波面的波長λ2和所述第三波面的波長λ3均等于或小于可見光的波長。

4.根據權利要求1所述的導電元件，

所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面滿足以下關系：

(Am1/λm1)＝0以及0＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，

并且

所述第二波面的波長λ2和所述第三波面的波長λ3均為100μm以下。

5.根據權利要求1所述的導電元件，

其中，所述第一波面、所述第二波面和所述第三波面滿足以下關系：

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)＜(Am3/λm3)≤1.8，并且

所述第一波面的波長λ1、所述第二波面的波長λ2和所述第三波面的波長λ3均為100μm以下。

6.根據權利要求1所述的導電元件，還包括：

第三層，設置在所述第三波面上，

其中，所述第三層包括構成所述第二層的一部分子層，并且

所述第一層、所述第二層和所述第三層滿足以下關系：

S1＞S2＞S3

其中，S1是所述第一層的單位面積，S2是所述第二層的單位面積，而S3是所述第三層的單位面積。

7.根據權利要求6所述的導電元件，

其中，所述第一層和所述第二層分別連續形成在所述第一波面和所述第二波面上，并且

所述第三層不連續地形成在所述第三波面上。

8.根據權利要求1所述的導電元件，還包括：

第三層，設置在所述第三波面上，

其中，所述第一層、所述第二層和所述第三層滿足以下關系：

d1＞d2＞d3

其中，d1是所述第一層的平均厚度，d2是所述第二層的平均厚度，而d3是所述第三層的平均厚度。

9.根據權利要求1所述的導電元件，

其中，所述第一層包括導電子層、設置在所述導電子層上的第一功能子層以及設置在所述第一功能子層上的第二功能子層，并且

所述第二層包括所述導電子層。

10.根據權利要求9所述的導電元件，

其中，還在所述導電子層和所述第一功能子層之間設置有第二功能子層。

11.根據權利要求9所述的導電元件，

其中，所述導電子層是包含氧化物半導體的透明導電子層，并且

所述氧化物半導體包括氧化銦錫或氧化鋅。

12.根據權利要求11所述的導電元件，其中，所述氧化物半導體為非晶相和多晶相的混合狀態。

13.根據權利要求9所述的導電元件，其中，所述第一功能子層和所述第二功能子層由不同的材料構成。