[發明專利]半導體器件以及電極端子

無效

• 申請號: 201210069369.9
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN103021998A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 中尾淳一
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 高科

1.一種半導體器件，其特征在于，

具有：

基板；

半導體芯片，安裝于上述基板；

電極，與上述半導體芯片電連接；

電極端子，具有錫焊于上述電極的、作為一個端部的第1端子部和作為另一個端部的第2端子部；以及

殼體，覆蓋上述基板、上述半導體芯片、上述電極、上述第1端子部、以及上述第2端子部，

其中，

上述電極端子的一部分露出到上述殼體的外部，

上述第1端子部和上述第2端子部在上述殼體的內部以朝向上述殼體的中央而對置的方式折彎，并且相接近地錫焊于上述電極。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

上述電極端子具有多組上述第1端子部和上述第2端子部。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

上述第1端子部和上述第2端子部的、朝向與上述電極的錫焊面的折彎部背靠背地形成，并且各自的頂端向外。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

上述電極端子具有多組上述第1端子部和上述第2端子部。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

上述第1端子部的上述折彎部與上述第2端子部的上述折彎部之間有間隙。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，

上述電極端子具有多組上述第1端子部和上述第2端子部。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，

焊錫進入到上述間隙。

8.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，

上述間隙的寬度為1mm左右。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

露出到上述殼體的外部的上述電極端子的一部分構成為平面狀。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

上述半導體芯片具有IGBT，上述電極端子是上述IGBT的集電極端子或發射極端子。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

上述半導體芯片通過鍵合引線與電極電連接。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

金屬基底錫焊于上述基板的與上述半導體芯片對置的面。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，

上述基板由氮化鋁構成，上述金屬基底由銅構成。

14.一種電極端子，其特征在于，

具有：

形成為平板狀的平板部；以及

上述平板部的兩端大致垂直地折彎之后以朝向中央而對置的方式折回的第1端子部和第2端子部，

其中，

上述第1端子部和上述第2端子部的、朝向與電極的錫焊面的折彎部背靠背地形成，并且各自的頂端向外。

15.根據權利要求14所述的電極端子，其特征在于，

上述第1端子部的上述折彎部和上述第2端子部的上述折彎部之間有間隙。

16.根據權利要求15所述的電極端子，其特征在于，

焊錫進入到上述間隙。

17.根據權利要求15所述的電極端子，其特征在于，

上述間隙的寬度為1mm左右。

18.根據權利要求14所述的電極端子，其特征在于，

上述電極端子具有多組上述第1端子部和上述第2端子部。

19.根據權利要求15所述的電極端子，其特征在于，

上述電極端子具有多組上述第1端子部和上述第2端子部。