[發明專利]固體攝像裝置、其制造方法以及電子裝置無效
| 申請號: | 201210068661.9 | 申請日: | 2012-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN102693997A | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發明(設計)人: | 東宮祥哲;大塚洋一 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/148 | 分類號: | H01L27/148;H01L31/18;H04N5/335;H04N5/225;H04N1/04 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;武玉琴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 制造 方法 以及 電子 | ||
相關申請的交叉參考
本申請包含與2011年3月23日向日本專利局提交的日本優先權專利申請JP?2011-064301所公開的內容相關的主題,因此將該日本優先權申請的全部內容以引用的方式并入本文。
技術領域
本發明涉及固體攝像裝置、制造該固體攝像裝置的方法以及電子裝置。
背景技術
在相關技術中,作為在數碼相機及攝像機中所用的固體攝像裝置,存在CCD型的固體攝像裝置及CMOS型的固體攝像裝置。固體攝像裝置通過以光感測部經由濾色器感測由微透鏡所聚集的光來對成像目標進行成像。
近年來,例如,隨著如數碼相機及移動電話等安裝有固體攝像裝置的裝置尺寸的減小,需要減小固體攝像裝置的尺寸并增加其像素。然而,問題在于,當減小固體攝像裝置的尺寸并增加其像素時,光感測部與微透鏡之間的距離縮短,入射至光感測部的入射光減少,從而致使固體攝像裝置的靈敏度降低。
因此,存在一種增加光感測部的入射光的方法,此種方法通過設置多個透鏡來改變入射光的聚集位置,從而改善固體攝像裝置的靈敏度(例如,參見未經審查的日本專利申請公開公報第04-233759號及第2009-224361號)。
在未經審查的日本專利申請公開公報第04-233759號及第2009-224361號中所述的方法是考慮入射至光感測部的光,但不考慮入射至濾色器的光。
當固體攝像裝置的尺寸減小且光感測部與微透鏡之間的距離縮短時,微透鏡的焦距會縮短,且濾色器與光感測部之間的距離也會縮短。因此,入射光的聚集位置移動至濾色器側。
在濾色器中添加有多種染料及顏料,以便具有特定的光譜特性。因此,當入射光的聚集位置如上所述移動至濾色器側且因而使聚集的光入射至濾色器時,會因濾色器中所含的染料及顏料微粒的影響而產生例如圖像粗糙等圖像品質劣化現象。
發明內容
因此,期望提供一種能夠抑制圖像品質劣化的固體攝像裝置及其制造方法。
此外,還期望提供一種包含所述固體攝像裝置的電子裝置。
根據本發明的實施例,提供一種固體攝像裝置,其包括:像素,具有用于將入射光轉換成電信號的光電轉換部;濾色器,對應于像素形成;微透鏡,用于將入射光經濾色器聚集至光電轉換部;以及層間透鏡,形成于濾色器與微透鏡之間,且所具有的折射率小于微透鏡的折射率。
在根據本發明實施例的固體攝像裝置中,所具有的折射率小于微透鏡的折射率的層間透鏡包含于濾色器與微透鏡之間。因此,經微透鏡聚集的光通過層間透鏡發散并入射至濾色器。
此外,根據本發明另一實施例,還提供一種制造所述固體攝像裝置的方法,包括以下步驟:形成像素,所述像素具有用于將入射光轉換成電信號的光電轉換部;形成濾色器,所述濾色器對應于所述像素形成;形成n層(n≥1)的層間透鏡,該層間透鏡形成于所述濾色器與微透鏡之間,且其所具有的折射率小于微透鏡的折射率;以及形成微透鏡,所述微透鏡將入射光經所述濾色器聚集至所述光電轉換部。
根據本發明再一實施例的電子裝置包括上述固體攝像裝置、光學透鏡以及信號處理電路。
根據本發明的實施例,可抑制固體攝像裝置及包括所述固體攝像裝置的電子裝置的圖像品質的劣化。
附圖說明
圖1為顯示本發明第一實施例的固體攝像裝置的圖;
圖2為本發明第一實施例的固體攝像裝置的剖視圖;
圖3為本發明第一實施例的固體攝像裝置的剖視圖;
圖4A至圖4E為本發明第一實施例的固體攝像裝置的制造工藝圖;
圖5為本發明第一實施例的變形例的固體攝像裝置的剖視圖;
圖6為本發明第二實施例的固體攝像裝置的剖視圖;
圖7為本發明第二實施例的固體攝像裝置的剖視圖;
圖8A至圖8E為本發明第二實施例的固體攝像裝置的制造工藝圖;
圖9為本發明第三實施例的固體攝像裝置的剖視圖;
圖10為本發明第三實施例的固體攝像裝置的剖視圖;
圖11為顯示本發明第四實施例的固體攝像裝置的圖;
圖12為本發明第四實施例的固體攝像裝置的剖視圖;
圖13A和13B為本發明第四實施例的固體攝像裝置的剖視圖;
圖14為本發明第四實施例的固體攝像裝置的剖視圖;以及
圖15為顯示本發明第五實施例的電子裝置的圖。
具體實施方式
第一實施例
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





