[發明專利]一種諧振器調諧結構有效
| 申請號: | 201210067857.6 | 申請日: | 2012-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN103311633A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 王清源;譚宜成;莫坤山 | 申請(專利權)人: | 成都賽納賽德科技有限公司 |
| 主分類號: | H01P7/06 | 分類號: | H01P7/06 |
| 代理公司: | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 梁田 |
| 地址: | 610000 *** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 諧振器 調諧 結構 | ||
技術領域
本發明涉及一種諧振器調諧結構,具體地說,是涉及一種用于微波器件特性調節的介質諧振腔調諧結構。
背景技術
在對微波器件進行調諧的時候,通常會用到調諧螺釘。但普通的調諧螺釘的調諧靈敏度有限,且經常出現調諧螺釘與被介質諧振腔調諧結構之間的間隙很小的情況,這加大了調諧的難度,且這種情況還會帶來穩定性問題。在微帶結構、介質諧振腔和介質振蕩器等器件中,由于這些器件中電磁場能量集中在器件內,使一般調諧螺釘的對電磁場的影響很小,調諧效果很差。
發明內容
本發明的主要優點,利用位于調諧螺釘前端、介電常數或導磁率很高的介質材料,明顯地改變微波器件附近的電磁場分布,從而更好地對微波器件的特性進行調節。
本發明的目的在于提供一種結構簡單、加工簡單、調試方便的介質諧振腔調諧結構。
為達到上述目的,本發明采用的技術方案為:一種諧振器調諧結構,包括金屬空腔、以及從金屬空腔外伸入金屬空腔內的調諧支撐體、以及設置在調諧支撐體伸入到金屬空腔內一端的調諧介質體;還包括與的金屬空腔內壁連接的介質基片、以及與介質基片連接的導體帶和諧振腔,調諧介質體位于諧振腔的上方。
所述調諧支撐體為柱狀結構;所述調諧介質體與調諧支撐體的交界面為平面。
所述調諧介質體與調諧支撐體之間還設置有薄金屬片,并且調諧介質體、薄金屬片、調諧支撐體三者之間的交界面為互相平行的平面;所述調諧介質體遠離調諧支撐體的一面也設置有薄金屬片。
所述調諧支撐體在遠離金屬空腔內部的一端設置有螺紋;調諧支撐體在遠離金屬空腔內部的一端還設置有固定裝置,所述調諧支撐體通過螺紋與固定裝置配合,使得調諧支撐體在金屬空腔內上行移動調節,并由固定裝置固定。
在所述調諧支撐體與調諧介質體之間還設置有柱狀金屬臺,所述柱狀金屬臺與調諧支撐體、調諧介質體的連接界面均為平面。
所述金屬空腔為開口的空腔或封閉的空腔。
所述調諧介質體的介電常數或/和導磁率大于30。
所述調諧支撐體為介電常數小于3的介質材料或者導體。
所述介質諧振腔位于導體帶側面,且介質諧振腔與導體帶之間存在間隙;介質諧振腔為底部與介質基片相連且相對介電常數或相對導磁率大于10的任意形狀介質體。
所述諧振腔為薄導體片。
在本發明中,本發明通過在調諧支撐體伸入到金屬空腔內一端設置調諧介質體。借助調諧介質體的作用,可以改變其電磁場分布,從而對微波器件的特性進行調節。一般在空氣中的電磁波的波長比較大,增加了調諧介質體后,改變了電磁波的傳輸波長。以此可以改變其電磁場分布,對電磁場的影響很大,調諧效果很好,增加調節的靈敏度。諧振腔在某些頻率點起到諧振作用,介質基片具備對諧振腔和導體帶做支撐作用,諧振腔和導體帶諧振腔構成耦合結構,導體帶把能量耦合到諧振腔。
將調諧支撐體設置有柱狀結構方便加工生產、以及方便調諧支撐體上下調節,使得可隨時改變對電磁場的影響。
將調諧介質體、薄金屬片、調諧支撐體三者之間的交界面為互相平行的平面。以此他們三者的結構設計簡單、方便批量生產。同時將三者之間的交界面設置成互相平行的平面,可方便他們三者之間的連接。減少加工時間和加工難度。
由于一般采用的調諧介質體為現有市場上的標準產品,因此一般標準的調諧介質體一般為了方便使用者焊接,其一端都設置有薄金屬片,為了在此基礎上設置成電容,本發明特在調諧介質體遠離調諧支撐體的一面也設置有薄金屬片,這樣調諧介質體的上下兩端均設置有薄金屬片,以此形成電容體結構,從而增加對電磁場的影響效果。進一步的增加調節的靈敏度。
本發明設置的調諧支撐體通過螺紋與固定裝置配合,通過旋轉固定裝置,可使得調諧支撐體上下移動,方便對電磁波的人為的主觀調節。
當調諧支撐體橫切面比較小的時候,調諧介質體比較大的時候,此時,要想將調諧支撐體與調諧介質體進行焊接,因此有一定的難度,為此,本發明特在調諧支撐體與調諧介質體之間設置有柱狀金屬臺,通過中間體的形式使得調諧支撐體與調諧介質體能快速焊接在一起,在不會影響本發明的電氣性能的情況下,增加柱狀金屬臺,可方便連接,增加生產效率。
當用到天線設計領域的時候,采用金屬空腔為開口的空腔;當用到濾波器、耦合器領域的時候,采用金屬空腔為封閉的空腔。
所述調諧介質體的介電常數或/和導磁率大于30。
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