[發明專利]一種硅納米孔洞的孔徑調節方法

有效

• 申請號: 201210067841.5
• 申請日: 2012-03-14
• 公開（公告）號: CN102583230A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 馮俊波;郭進;滕婕;宋世嬌
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三十八研究所
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 合肥金安專利事務所 34114
• 代理人: 王挺

1.一種硅納米孔洞的孔徑調節方法，其特征在于包括如下步驟：

1)、通過檢測手段測量出硅納米孔洞的直徑為D1；

2)、計算出直徑D1與期望值D2的偏差Δ，并按下述兩種情況進行操作：

a)、若直徑D1大于期望值D2，此時Δ＝D1-D2，將帶有硅納米孔洞的器件加熱氧化，控制氧化時間使硅納米孔洞內壁的硅被氧化掉的厚度為r，r＝(Δ/2)×(44/56)，然后檢測氧化后的硅納米孔洞的直徑是否達到期望值D2，如果是則停止操作，如果否則重復步驟2)，直至獲得期望的孔洞大??；

b)、若直徑D1小于期望值D2，此時Δ＝D2-D1，則首先將帶有硅納米孔洞的器件加熱氧化，控制氧化時間使硅納米孔洞內壁的硅被氧化掉的厚度為Δ/2；接著用氫氟酸溶液腐蝕掉生成的二氧化硅層，最后檢測腐蝕掉二氧化硅層后的硅納米孔洞的直徑是否達到期望值D2，如果是則停止操作，如果否則重復步驟2)，直至獲得期望的孔洞大小。

2.根據權利要求1所述的硅納米孔洞的孔徑調節方法，其特征在于：所述步驟a)中，將帶有硅納米孔洞的器件放入氧化爐中，采用干法氧化的方法加熱氧化。

3.根據權利要求1所述的硅納米孔洞的孔徑調節方法，其特征在于：所述步驟b)中，氧化時將帶有硅納米孔洞的器件放入氧化爐中，采用干法氧化的方法加熱氧化。

4.根據權利要求1或3所述的硅納米孔洞的孔徑調節方法，其特征在于：所述步驟b)中，氫氟酸溶液的濃度值為2％～15％。