[發(fā)明專利]雙向移位暫存器及其驅(qū)動(dòng)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210067728.7
• 申請(qǐng)日: 2012-03-12
• 公開（公告）號(hào): CN102622954A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾建彰;劉匡祥;丁友信
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/20
• 分類號(hào): G09G3/20;G09G3/36
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種移位暫存器，且特別是有關(guān)于一種雙向移位暫存器及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)

在目前液晶顯示器的工藝中，有部分的廠商透過柵極驅(qū)動(dòng)電路基板(Gate?driver?On?Array，GOA)的技術(shù)制作移位暫存器，來減少顯示器面板對(duì)于大量驅(qū)動(dòng)IC的材料依賴性，藉以符合輕薄短小的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。

在所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路基板中所使用的薄膜晶體管(簡(jiǎn)稱TFT)又可以分為幾種不同的工藝，而不同工藝的TFT具有各自優(yōu)缺點(diǎn)，舉例來說，非晶硅薄膜晶體管(簡(jiǎn)稱α-Si?TFT)的均勻性雖佳，但是α-Si?TFT的電子移動(dòng)率較差，若要使用α-Si?TFT制作移位暫存器，所需的電路布局面積較大。另外，由于非晶氧化銦鎵鋅薄膜晶體管(簡(jiǎn)稱IGZO?TFT)具有較高的電子移動(dòng)率，近來也成為柵極驅(qū)動(dòng)電路基板所使用的工藝之一。然而當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電路基板使用所述的α-Si?TFT或IGZO?TFT作為電路組成元件時(shí)，面臨了幾個(gè)問題。

舉例來說，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電路基板處于關(guān)閉(off)狀態(tài)時(shí)，其通常是以0伏特當(dāng)作TFT的關(guān)閉電壓，但是有時(shí)會(huì)因?yàn)棣?Si?TFT或IGZO?TFT的元件特性導(dǎo)致所述的關(guān)閉電壓產(chǎn)生飄移而造成漏電流偏高與漣波(Ripple)的問題，嚴(yán)重時(shí)還可能導(dǎo)致所述的移位暫存器發(fā)生輸出失效的問題。另外，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電路基板處于導(dǎo)通(on)狀態(tài)時(shí)，其部分的TFT因產(chǎn)生漏電情形而降低陣列基板驅(qū)動(dòng)電路的充電能力，雖可透過增加穩(wěn)壓電路來改善所述的漏電情形與漣波問題，但所述的穩(wěn)壓電路亦會(huì)增加電路布局的面積并提高成本，不符合目前的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提出一種雙向移位暫存器及其驅(qū)動(dòng)方法，透過對(duì)稱的電路架構(gòu)與信號(hào)控制時(shí)序，使移位暫存器可雙向操作，并使輸出緩沖級(jí)操作在逆偏狀態(tài)，以阻隔漏電路徑并縮小電路布局的面積，進(jìn)而提升雙向移位暫存器的穩(wěn)定性。

因此，本發(fā)明的雙向移位暫存器包括有第一暫存器電路與第二暫存器電路。所述的第一暫存器電路包括有第一暫存器級(jí)與第一輸出緩沖級(jí)。所述的第一暫存器級(jí)具有第一端、第二端與輸出端，而第一暫存器級(jí)的第一端電性耦接于前一個(gè)雙向移位暫存器的第二暫存器級(jí)的輸出端，而第一暫存器級(jí)的第二端電性耦接于第二暫存器級(jí)的輸出端。所述的第一暫存器級(jí)接收第一控制信號(hào)、第二控制信號(hào)與末級(jí)時(shí)脈信號(hào)，且第一暫存器級(jí)還電性耦接于第三電壓源。所述的第一輸出緩沖級(jí)電性耦接于第一暫存器級(jí)。所述的第一輸出緩沖級(jí)具有第一端、第二端以及n個(gè)掃瞄信號(hào)輸出端，而第一輸出緩沖級(jí)的第一端電性耦接于第一暫存器級(jí)的第一端，而第一輸出緩沖級(jí)的第二端電性耦接于第一暫存器級(jí)的第二端，且第一輸出緩沖級(jí)分別電性耦接于第二電壓源以及第一電壓源。

所述的第二暫存器電路包括有第二暫存器級(jí)與第二輸出緩沖級(jí)。所述的第二暫存器級(jí)具有第一端、第二端與輸出端，而第二暫存器級(jí)的第一端電性耦接于第一暫存器級(jí)的輸出端，而第二暫存器級(jí)的第二端電性耦接于次一個(gè)雙向移位暫存器的第一暫存器級(jí)的輸出端。所述的第二暫存器級(jí)接收第一控制信號(hào)、第二控制信號(hào)與互補(bǔ)末級(jí)時(shí)脈信號(hào)，且第二暫存器級(jí)還電性耦接于所述的第三電壓源。所述的第二輸出緩沖級(jí)電性耦接于第二暫存器級(jí)，而第二輸出緩沖級(jí)具有第一端、第二端以及n個(gè)掃瞄信號(hào)輸出端，而第二輸出緩沖級(jí)的第一端電性耦接于第二暫存器級(jí)的第一端，而第二輸出緩沖級(jí)的第二端電性耦接于第二暫存器級(jí)的第二端以及次一個(gè)雙向移位暫存器的第一暫存器級(jí)的輸出端，且第二輸出緩沖級(jí)分別電性耦接于所述的第二電壓源以及第一電壓源，其中所述的第一暫存器電路與第二暫存器電路分別使用n+1條時(shí)脈信號(hào)線，且n為正整數(shù)。

該第一電壓源的位準(zhǔn)大于該第二電壓源的位準(zhǔn)大于該第三電壓源的位準(zhǔn)。

該第一輸出緩沖級(jí)還接收該第一控制信號(hào)、該第二控制信號(hào)以及第1，2，...至n個(gè)時(shí)脈信號(hào)，而該第二輸出緩沖級(jí)還接收該第一控制信號(hào)、該第二控制信號(hào)以及互補(bǔ)第1，2，...至n個(gè)時(shí)脈信號(hào)。

該第1，2，...至n個(gè)時(shí)脈信號(hào)的脈波寬度與該第一輸出緩沖級(jí)的級(jí)數(shù)成正比，而該互補(bǔ)第1，2，...至n個(gè)時(shí)脈信號(hào)的脈波寬度與該第二輸出緩沖級(jí)的級(jí)數(shù)成正比。

該第1，2，...至n個(gè)時(shí)脈信號(hào)的低邏輯位準(zhǔn)與該互補(bǔ)第1，2，...至n個(gè)時(shí)脈信號(hào)的低邏輯位準(zhǔn)相當(dāng)于該第一電壓源的位準(zhǔn)，而該末級(jí)時(shí)脈信號(hào)與該互補(bǔ)末級(jí)時(shí)脈信號(hào)的低邏輯位準(zhǔn)相當(dāng)于該第三電壓源的位準(zhǔn)。