[發(fā)明專利]窄線路的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210067324.8
• 申請(qǐng)日: 2012-03-14
• 公開（公告）號(hào): CN103309526A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程志政
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳歐菲光科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/044
• 分類號(hào): G06F3/044;H05K3/06
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及電子技術(shù)，特別是涉及一種窄線路的制作方法。

【背景技術(shù)】

電容式觸摸屏以其高靈敏度，長(zhǎng)壽命和便捷的操作性能，而廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、MP3、MP4和ATM等終端設(shè)備的輸入硬件。其工作原理是利用m根X線和n根Y線將m*n個(gè)陣列電容的上下極板引到控制器中去，通過(guò)控制器掃描每個(gè)電容的變化來(lái)監(jiān)測(cè)觸摸點(diǎn)的移動(dòng)及定位的。隨著觸摸屏尺寸不斷增大、邊框不斷變窄，兩側(cè)的n根Y線的走線將因?yàn)椴季€空間有限而變得比較困難。

目前電容式觸摸屏的引線制造方式通常為印刷細(xì)線銀漿。絲網(wǎng)印刷技術(shù)因其設(shè)備要求簡(jiǎn)單，歷史悠久而應(yīng)用比較廣泛，但是國(guó)內(nèi)在應(yīng)用絲網(wǎng)印刷細(xì)線路上還存在經(jīng)驗(yàn)不足，其工藝影響條件繁雜，穩(wěn)定性難以控制。目前國(guó)內(nèi)的絲網(wǎng)印刷的制程能力大概控制在線寬/線距為100um/100um，難以滿足線路尺寸日益縮小的要求。為此，還可采用曝光顯影技術(shù)加工制造出30um/30um的線寬線距的窄線路，但其設(shè)備昂貴，投資成本較高，經(jīng)濟(jì)效益欠佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

鑒于上述狀況，有必要提供一種成本較低，又能夠提供尺寸較小的線路的窄線路的制作方法。

一種窄線路的制作方法，包括以下步驟：

在基材上形成一層金屬導(dǎo)電層；

按照預(yù)設(shè)的線路圖對(duì)所述金屬導(dǎo)電層進(jìn)行激光雕刻，并控制所述激光光斑的直徑在30微米到40微米內(nèi)，從而在所述基材上得到窄電路。

進(jìn)一步地，在所述窄電路形成之后，所述窄線路的制作方法還包括：

為所述窄電路覆蓋保護(hù)膜。

進(jìn)一步地，還包括：

檢查所述窄電路的通斷情況，并剔除其中不合格的產(chǎn)品。

進(jìn)一步地，所述窄電路通過(guò)顯微鏡檢查通斷情況。

進(jìn)一步地，所述金屬導(dǎo)電層通過(guò)蒸鍍的方式形成于所述基材上。

進(jìn)一步地，所述金屬導(dǎo)電層通過(guò)印刷導(dǎo)電銀漿的方式形成于所述基材上。

進(jìn)一步地，，在進(jìn)行所述按照預(yù)設(shè)的線路圖對(duì)所述金屬導(dǎo)電層進(jìn)行激光雕刻的步驟之前，還包括：

將形成有金屬導(dǎo)電層的基材置于烤箱中烘烤，直至所述金屬導(dǎo)電層被烘干。

進(jìn)一步地，，烘烤溫度為120～160攝氏度，烘烤時(shí)間為30～120分鐘。

進(jìn)一步地，所述激光的功率為10～25瓦，頻率為150～250千赫茲，光斑移動(dòng)速度為1000～3000毫米每秒。

進(jìn)一步地，，所述金屬導(dǎo)電層的厚度為0.1微米至6微米。

上述窄線路的制作方法，首先在基材上制作一層金屬導(dǎo)電層，然后通過(guò)激光按照預(yù)設(shè)的雕刻線路對(duì)金屬導(dǎo)電層進(jìn)行雕刻，并控制激光光斑的直徑在30微米到40微米內(nèi)，得到所需尺寸的窄電路。上述方法所需的主要元件為激光器，不需要昂貴的設(shè)備，從而可以有效的降低成本。并且，把激光光斑的直徑控制在較小的范圍內(nèi)，可得到尺寸較小的窄線路。因此，通過(guò)上述窄線路的制作方法既能獲得較小尺寸的窄線路，又能有效的節(jié)約成本

【附圖說(shuō)明】

圖1為實(shí)施例一的窄線路的制作方法的流程圖；

圖2為實(shí)施例二的窄線路的制作方法的流程圖；

圖3為實(shí)施例三的窄線路的制作方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。

需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

請(qǐng)參閱圖1，實(shí)施例一的窄線路的制作方法包括步驟S110～S120。

步驟S110，在基材上形成一層金屬導(dǎo)電層。

其中，基材可為玻璃或?qū)Ρ蕉姿嵋叶减?PET)。金屬導(dǎo)電層的厚度控制在0.1微米至6微米之間。

在一個(gè)實(shí)施例中，金屬導(dǎo)電層可通過(guò)蒸鍍的方式形成于基材上。采用蒸鍍的方式獲得的金屬導(dǎo)電層薄膜的純度高，且易于檢測(cè)和控制金屬導(dǎo)電膜的厚度。