[發明專利]一種擇優取向氯化銨薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210062586.5
• 申請日: 2012-03-12
• 公開（公告）號: CN102602961A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 劉科高;徐勇;紀念靜;石磊;許斌
• 申請（專利權）人: 山東建筑大學
• 主分類號: C01C1/16
• 分類號: C01C1/16;C04B41/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種擇優取向氯化銨薄膜的制備方法，包括如下順序的步驟：

a.硅基片的清洗；

b.將2.0～5.0份金屬氯化物、放入30～100份的溶劑中，使溶液中的物質均勻混合；

c.制作外部均勻涂布步驟b所述溶液的基片，并烘干，得到前驅體薄膜樣品；

d.將步驟c所得前驅體薄膜樣品置于支架上，放入有水合聯氨的可密閉容器，使前驅體薄膜樣品不與聯氨接觸，將裝有前軀體薄膜樣品的密閉容器放入烘箱中，加熱至150～200℃之間，保溫時間10～24小時，然后冷卻到室溫取出；

e.將步驟d所得產物，進行自然干燥，得到擇優取向氯化銨薄膜。

2.如權利要求1所述的一種擇優取向氯化銨薄膜的制備方法，其特征在于，步驟a所述清洗，是將硅基片大小為2mm×2mm，按體積比放入三氯甲烷∶乙醇＝5∶1的溶液中，超聲波清洗；再將硅片放入丙酮∶蒸餾水＝5∶1的溶液中，超聲波清洗；再在蒸餾水中將硅基片用超聲波振蕩；將上述得到的硅基片排放在玻璃皿中送入烘箱中烘干供制膜用。

3.如權利要求1所述的一種擇優取向氯化銨薄膜的制備方法，其特征在于，步驟b所述金屬氯化物為SnCl₂·2H₂O、CuCl₂·2H₂O、ZnCl₂、InCl₃·4H₂O等中的至少一種，溶劑為去離子水、乙醇、乙二醇、鹽酸中的至少一種。

4.如權利要求1所述的一種擇優取向氯化銨薄膜的制備方法，其特征在于，步驟c所述均勻涂布的基片，是通過勻膠機旋涂，勻膠機以200～3500轉/分旋轉，然后對基片進行烘干后，再次如此重復5～15次，得到了一定厚度的前驅體薄膜樣品。

5.如權利要求1所述的一種擇優取向氯化銨薄膜的制備方法，其特征在于，步驟d所述密閉容器內放入20～30份水合聯氨。