[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210061291.6
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN102694029A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 齋藤涉;小野升太郎;仲敏行;谷內(nèi)俊治;渡邊美穗;山下浩明
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，具備：

第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體層，

周期的排列構(gòu)造，在上述第1半導(dǎo)體層之上，沿著與上述第1半導(dǎo)體層的主面平行的方向，分別周期性地排列了第1導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體層和第2導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體層，

第2導(dǎo)電型的第4半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述第3半導(dǎo)體層之上，

第1導(dǎo)電型的第5半導(dǎo)體層，選擇性地設(shè)置在上述第4半導(dǎo)體層的表面，

控制電極，隔著絕緣膜與上述第2半導(dǎo)體層的一部分、上述第4半導(dǎo)體層、及上述第5半導(dǎo)體層的一部分連接，

第1導(dǎo)電型的第6半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述周期的排列構(gòu)造的外側(cè)的上述第1半導(dǎo)體層之上、且雜質(zhì)濃度低于上述周期的排列構(gòu)造中所含的雜質(zhì)濃度，

第1主電極，與上述第1半導(dǎo)體層電連接，及

第2主電極，與上述第4半導(dǎo)體層和上述第5半導(dǎo)體層連接；

從與上述第1半導(dǎo)體層的主面垂直的方向看，上述第2半導(dǎo)體層和上述第3半導(dǎo)體層分別呈點狀地配置，

上述周期的排列構(gòu)造的最外周的周期構(gòu)造不同于上述最外周以外的上述周期的排列構(gòu)造的周期構(gòu)造。

2.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，

從與上述第1半導(dǎo)體層的主面垂直的方向看，上述第1半導(dǎo)體層是矩形狀，

與上述矩形的對置的一對邊平行的方向上的上述周期的排列構(gòu)造的最外周的上述周期構(gòu)造，不同于與上述邊正交的方向上的上述周期的排列構(gòu)造的上述最外周的上述周期構(gòu)造。

3.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，

上述周期的排列構(gòu)造的最外周的上述第2半導(dǎo)體層及上述第3半導(dǎo)體層的任意一方的周期，是沿著上述最外周的、上述最外周以外的上述周期的排列構(gòu)造中的上述第2半導(dǎo)體層及上述第3半導(dǎo)體層的任意另一方的周期的2倍。

4.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，

上述最外周的上述第2半導(dǎo)體層和與之相鄰的上述第3半導(dǎo)體層之間的間隔，窄于上述周期的排列構(gòu)造中的上述第2半導(dǎo)體層和與之相鄰的上述第3半導(dǎo)體層之間的間隔，

上述最外周的上述第3半導(dǎo)體層和與之相鄰的上述第2半導(dǎo)體層之間的間隔，窄于上述周期的排列構(gòu)造中的上述第3半導(dǎo)體層和與之相鄰的第2半導(dǎo)體層之間的間隔。

5.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，

上述最外周的上述第2半導(dǎo)體層及其內(nèi)側(cè)的上述第2半導(dǎo)體層之間的間隔，窄于上述周期的排列構(gòu)造中的上述第2半導(dǎo)體層的排列節(jié)距，

上述最外周的上述第3半導(dǎo)體層及其內(nèi)側(cè)的上述第3半導(dǎo)體層之間的間隔，窄于上述周期的排列構(gòu)造中的上述第3半導(dǎo)體層的排列節(jié)距。

6.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，

在上述周期的排列構(gòu)造中，上述第2半導(dǎo)體層中所含的第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)量，與上述第3半導(dǎo)體層中所含的第2導(dǎo)電型的雜質(zhì)量相同，

上述最外周的上述第2半導(dǎo)體層中所含的第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)量，與上述周期的排列構(gòu)造中的上述第2半導(dǎo)體層中所含的第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)量相同，

上述最外周的上述第3半導(dǎo)體層中所含的第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)量，與上述周期的排列構(gòu)造中的上述第3半導(dǎo)體層中所含的第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)量相同。

7.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，

上述最外周的上述第2半導(dǎo)體層的至少一部分，被夾在其內(nèi)側(cè)的上述第3半導(dǎo)體層之間，

上述最外周的上述第3半導(dǎo)體層的至少一部分，被夾在其內(nèi)側(cè)的上述第2半導(dǎo)體層之間。

8.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，

在設(shè)置在上述最外周的上述第3半導(dǎo)體層之上的上述第4半導(dǎo)體層的表面，不設(shè)置上述第5半導(dǎo)體層。

9.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，

上述第6半導(dǎo)體層中所含的雜質(zhì)的濃度，小于等于上述第2半導(dǎo)體層及上述第3半導(dǎo)體層的某一層所含的雜質(zhì)的濃度的十分之一。

10.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，

還具備在上述第6半導(dǎo)體層的表面設(shè)置的保護環(huán)。

11.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，

還具備與上述第6半導(dǎo)體層相接的電場終止層，

上述第6半導(dǎo)體層位于上述周期的排列構(gòu)造和上述電場終止層之間。