[發(fā)明專利]發(fā)光結(jié)構(gòu)、包括發(fā)光結(jié)構(gòu)的顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210061071.3
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN102856507A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李圣秀;宋沃根;金世一
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 羅正云;宋志強

1.一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，具有第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：

第一空穴注入層；

在所述第一空穴注入層上的第一有機發(fā)光層；

在所述第一有機發(fā)光層上的電荷產(chǎn)生層；

在所述電荷產(chǎn)生層上的第二空穴注入層；

在所述第二空穴注入層上的第二有機發(fā)光層；

在所述第二有機發(fā)光層上的電子傳輸層；以及

在所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)至少之一處的阻擋元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述第一子像素區(qū)中的第一光學(xué)諧振距離、所述第二子像素區(qū)中的第二光學(xué)諧振距離和所述第三子像素區(qū)中的第三光學(xué)諧振距離彼此不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括：

在所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)至少之一處的光程控制絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述光程控制絕緣層位于所述第一空穴注入層的下方。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述光程控制絕緣層在鄰近的子像素區(qū)中具有不同的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述光程控制絕緣層包括與所述第一空穴注入層的材料相同的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述第一光學(xué)諧振距離被調(diào)節(jié)以產(chǎn)生由所述第一有機發(fā)光層或所述第二有機發(fā)光層發(fā)射的紅光的光學(xué)諧振，所述第二光學(xué)諧振距離被調(diào)節(jié)以產(chǎn)生由所述第一有機發(fā)光層或所述第二有機發(fā)光層發(fā)射的綠光的光學(xué)諧振，并且所述第三光學(xué)諧振距離被調(diào)節(jié)以產(chǎn)生由所述第一有機發(fā)光層或所述第二有機發(fā)光層發(fā)射的藍(lán)光的光學(xué)諧振。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，

其中所述第一有機發(fā)光層包括藍(lán)光發(fā)射膜，并且

其中所述第二有機發(fā)光層包括綠光發(fā)射膜和紅光發(fā)射膜或適于發(fā)射綠光和紅光的單個發(fā)光膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述阻擋元件在所述第一子像素區(qū)處位于所述電荷產(chǎn)生層和所述第一有機發(fā)光層之間，所述阻擋元件適于阻止電子在所述第一子像素區(qū)從所述電荷產(chǎn)生層到所述第一有機發(fā)光層的遷移。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述阻擋元件在所述第一子像素區(qū)處位于所述第一空穴注入層和所述第一有機發(fā)光層之間，所述阻擋元件適于阻止在所述第一子像素區(qū)處由所述第一有機發(fā)光層產(chǎn)生的激子的遷移。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，

其中所述第一有機發(fā)光層包括綠光發(fā)射膜和紅光發(fā)射膜或適于發(fā)射綠光和紅光的單個發(fā)光膜，并且

其中所述第二有機發(fā)光層包括藍(lán)光發(fā)射膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述阻擋元件在所述第一子像素區(qū)處位于所述電子傳輸層和所述第二有機發(fā)光層之間，所述阻擋元件適于阻止電子在所述第一子像素區(qū)處到所述第二有機發(fā)光層的遷移。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述阻擋元件在所述第一子像素區(qū)處位于所述第二空穴注入層和所述第二有機發(fā)光層之間，所述阻擋元件適于阻止在所述第一子像素區(qū)處由所述第二有機發(fā)光層產(chǎn)生的激子的遷移。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中所述阻擋元件包括電子阻擋層或激子猝熄層。