[發明專利]具有包括空氣間隙的間隔體的半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 201210059244.8
• 申請日: 2012-03-08
• 公開（公告）號: CN102760683A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 尹孝根;樸志镕;李善真
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/764
• 分類號: H01L21/764;H01L21/8242
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種具有包括空氣間隙的間隔體的半導體器件的制造方法，包括：

在半導體襯底上方形成第一導電圖案；

在所述第一導電圖案的側壁上形成間隔體；

在所述間隔體的側壁上形成犧牲層，其中所述犧牲層對所述間隔體具有不同的蝕刻選擇性；

形成第二導電圖案以填充所述第一導電圖案與所述第一導電圖案之間的間隔；以及

通過選擇性去除所述犧牲層而在所述第一導電圖案與所述第二導電圖案之間形成空氣間隙。

2.如權利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述空氣間隙之后，形成覆層以密封所述空氣間隙的上部。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述第一導電圖案包括存儲節點接觸插塞，并且所述第二導電圖案包括位線。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述間隔體包括氮化物。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述犧牲層包括在低于500℃的溫度下形成的多晶硅或基于聚合物的有機化合物。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述犧牲層包括在20℃至40℃的溫度下形成的多晶硅或基于聚合物的有機化合物。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述犧牲層形成為至的厚度。

8.如權利要求1所述的方法，其中形成所述第二導電圖案包括：

形成金屬層以填充所述第一導電圖案之間的間隔，所述間隔體形成在所述第一導電圖案上；以及

使所述金屬層凹陷以形成第二導電層，所述第二導電層部分地填充所述第一導電圖案之間的間隔。

9.如權利要求1所述的方法，其中通過提供稀釋的氨水溶液而去除所述犧牲層，所述稀釋的氨水溶液通過以1∶5～1∶30的體積百分數的比例混合氨水(NH₄OH)溶液與H₂O而獲得。

10.如權利要求9所述的方法，其中在高于40℃的溫度下提供所述稀釋的氨水溶液。

11.如權利要求9所述的方法，其中在低于70℃的溫度下提供所述稀釋的氨水溶液。

12.如權利要求9所述的方法，其中在40℃至70℃的溫度下提供所述稀釋的氨水溶液。

13.一種具有包括空氣間隙的間隔體的半導體器件的制造方法，包括：

在半導體襯底上方形成第一導電圖案；

在所述第一導電圖案的側壁上形成第一間隔體；

在所述第一間隔體的側壁上形成犧牲層，其中所述犧牲層對所述第一間隔體具有蝕刻選擇性；

在所述犧牲層的側壁上形成第二間隔體，其中所述第二間隔體對所述犧牲層具有蝕刻選擇性；

形成第二導電圖案以填充所述第一導電圖案與所述第一導電圖案之間的間隔；以及

通過去除所述犧牲層而在所述第一導電圖案與所述第二導電圖案之間形成空氣間隙，所述犧牲層對所述第一間隔體和所述第二間隔體具有蝕刻選擇性。

14.如權利要求13所述的方法，還包括：

在所述半導體襯底上方形成硅化金屬層，使得所述硅化金屬層連接到所述第二導電圖案。

15.如權利要求13所述的方法，還包括：

在形成所述空氣間隙之后，形成覆層以密封所述空氣間隙的上部。

16.如權利要求13所述的方法，其中所述第一導電圖案包括存儲節點接觸插塞，并且所述第二導電圖案包括位線。

17.如權利要求13所述的方法，其中所述第一間隔體或所述第二間隔體包括氮化物。

18.如權利要求13所述的方法，其中所述犧牲層包括在低于500℃的溫度下形成的多晶硅或基于聚合物的有機化合物。

19.如權利要求13所述的方法，其中所述犧牲層包括在20℃至40℃的溫度下形成的多晶硅或基于聚合物的有機化合物。

20.如權利要求13所述的方法，其中所述犧牲層形成為至的厚度。