[發明專利]一種噴射沉積Si-Al合金電子封裝材料的制備工藝

無效

• 申請號: 201210058570.7
• 申請日: 2012-03-06
• 公開（公告）號: CN102534321A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 上海馳韻新材料科技有限公司
• 主分類號: C22C21/02
• 分類號: C22C21/02;C22C1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種噴射沉積Si-Al合金電子封裝材料的制備工藝，其特征在于：該工藝包括以下步驟：

(1)采用噴射沉積的工藝制備Si-Al合金電子封裝材料，合金中Si含量為40-60％，余量為Al，按質量比進行配比熔煉，除氣變質處理完后將熔體溫度升至1400℃-1500℃，將熔體傾入導流槽，流經漏斗后通過氣體霧化器，對合金熔體進行熔體霧化處理，并沉積到噴射沉積設備的接受盤上。噴射沉積的工藝參數為：霧化氣體為氮氣，霧化壓力為0.6-1MPa，熔體熔煉溫度為1300℃-1450℃，導流槽和漏斗采用電阻加熱溫度補償方法，使之溫度保持在1400℃-1500℃，沉積盤的接受距離為650-750mm，得到的噴射沉積坯錠，相對密度達到了95％-98％。

(2)對噴射沉積坯錠進行去皮和端面，并用線切割工藝對坯錠進行切片處理。

(3)將沉積片裝入熱等靜壓爐腔中。

(4)將熱等靜壓爐在100-150MPa壓力和500℃-550℃溫度下保壓、保溫0.5-3h，冷卻后即獲得Si-Al合金電子封裝材料。

2.根據權利要求1所述的噴射沉積Si-Al合金電子封裝材料的制備工藝，其特征在于，所得的噴射沉積Si-Al合金中初生硅相尺寸為6-30um，合金組織致密，沒有發現微孔，初生硅相均勻彌散的分布在鋁基體中。

3.根據權利要求1或2所述的噴射沉積Si-Al合金電子封裝材料的制備工藝，其特征在于，在所述的第四步中，熱等靜壓工藝簡單易行。