[發明專利]半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法

有效

• 申請號: 201210056791.0
• 申請日: 2012-03-06
• 公開（公告）號: CN102569191A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 賈沛
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供基板；

步驟2、在基板上形成透明電極層、在透明電極層上形成第一金屬層；

步驟3、通過第一道光罩制程以形成預定圖案的柵極及像素電極，其中，該像素電極由透明電極層形成并暴露，該柵極由透明電極層及第一金屬層形成；

步驟4、在柵極及像素電極上形成絕緣層；

步驟5、通過第二道光罩制程在上述絕緣層上形成預定圖案的柵極絕緣層；

步驟6、在柵極絕緣層上形成半導體層、在半導體層及像素電極上形成第二金屬層；

步驟7、通過第三道光罩制程在半導體層上形成預定圖案的溝道層及在第二金屬層上形成預定圖案的漏極、源極及反射部，形成薄膜晶體管，其中，所述漏極電性連接于所述像素電極。

2.如權利要求1所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對透明電極層及第一金屬層進行曝光、顯影、蝕刻以形成預定圖案的柵極與像素電極，所述柵極位于所述基板上，由部分透明電極層及設于該部分透明電極層上的部分第一金屬層形成，所述像素電極與所述柵極分離設置，該像素電極由另一部分透明電極層形成。

3.如權利要求1所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第三道光罩制程利用灰階掩膜或半灰階掩膜對半導體層及第二金屬層進行曝光、顯影、蝕刻以形成預定圖案的溝道層、漏極、源極及反射部，所述溝道層位于所述柵極絕緣層上，并部分延伸于所述像素電極，所述漏極與源極分離設置于所述溝道層的兩端，該漏極一端沿所述溝道層延伸于所述像素電極上，所述反射部位于所述像素電極上。

4.如權利要求1所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述透明電極層為氧化銦錫層。

5.如權利要求1所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟7后還包括，步驟8、在薄膜晶體管上形成平坦化層。

6.如權利要求5所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟8中的平坦化層為透明絕緣層。

7.如權利要求1所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一金屬層、第二金屬層、及透明電極層分別通過濺射制程而形成。

8.如權利要求5所述的半穿半反液晶顯示器的陣列基板制造方法，其特征在于，所述絕緣層、半導體層、及平坦層分別通過化學氣相沉積而形成。