[發明專利]一種介質狹縫光波導

有效

• 申請號: 201210056637.3
• 申請日: 2012-03-06
• 公開（公告）號: CN102608701A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 鄭錚;卞宇生;趙欣;蘇亞林;劉磊;劉建勝
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種介質狹縫光波導結構，其橫截面包括基底層、位于基底層上的從下到上依次排列的高折射率緩沖層、高折射率介質層、低折射率介質層、位于低折射率介質層上從左到右依次排列的高折射率介質區、低折射率介質區和高折射率介質區、以及包層；所述結構中高折射率介質層上表面的寬度與低折射率介質層下表面的寬度相等；位于低折射率介質層上的高折射率介質區、低折射率介質區和高折射率介質區共同構成的區域的下表面的寬度與低折射率介質層上表面的寬度相等；高折射率緩沖層的高度為所傳輸光信號的波長的0.006-0.06倍；高折射率介質層的上、下表面的寬度為所傳輸光信號的波長的0.1-0.3倍，高折射率介質層的高度為所傳輸光信號的波長的0.03-0.1倍；低折射率介質層的高度為所傳輸光信號的波長的0.006-0.06倍，低折射率介質層的上、下表面的寬度為所傳輸光信號的波長的0.1-0.3倍；位于低折射率介質層上的兩個高折射率介質區和低折射率介質區的高度相等，且其高度為所傳輸光信號的波長的0.07-0.22倍，低折射率介質區和高折射率介質區共同構成的區域的上、下表面的寬度為所傳輸光信號的波長的0.1-0.3倍；低折射率介質區的上、下表面的寬度為所傳輸光信號的波長的0.006-0.06倍，且小于低折射率介質層的寬度；位于基底層上的高折射率緩沖層、高折射率介質層以及兩個高折射率介質區的材料為相同或不同材料，且四者的材料折射率均高于基底層、低折射率介質層以及包層的材料折射率，基底層、低折射率介質層和包層的材料為相同材料或不同材料，基底層、低折射率介質層和包層的材料折射率的最大值與高折射率緩沖層、高折射率介質層以及兩個高折射率介質區的材料折射率的最小值的比值小于0.75。

2.根據權利要求1所述的光波導結構，其特征在于，所述結構中位于低折射率介質層上從左到右依次排列的高折射率介質區、低折射率介質區和高折射率介質區共同構成的區域的截面的外輪廓形狀為矩形、或梯形中的任何一種。

3.根據權利要求1所述的光波導結構，其特征在于，所述結構中高折射率介質層和低折射率介質層的截面的外輪廓形狀為矩形、或梯形中的任何一種。