[發(fā)明專利]一種瞬態(tài)電壓抑制器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210055786.8
• 申請日: 2012-03-05
• 公開（公告）號: CN103296665A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 陳兆同;馬萬里;趙文魁
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H01L27/02
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種瞬態(tài)電壓抑制器，包括高端控向二極管、齊納管、接地端、低端控向二級管和數(shù)據(jù)端口，沿數(shù)據(jù)端口、高端控向二極管陽極、高端控向二極管陰極、齊納管陰極、齊納管陽極、接地端的方向構成正靜電釋放線路，沿數(shù)據(jù)端口、低端控向二級管陰極、低端控向二級管陽極、接地端的方向構成負靜電釋放線路，其特征在于，還包括：

串聯(lián)于所述正靜電釋放線路中的至少一個第一新增二極管，所述第一新增二極管中陽極到陰極的方向與所述正靜電釋放線路的方向一致。

2.如權利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述至少一個第一新增二極管串聯(lián)于所述數(shù)據(jù)端口與所述高端控向二極管之間，和/或，所述高端控向二極管與所述齊納管之間。

3.如權利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，還包括：

串聯(lián)于所述負靜電釋放線路中的至少一個第二新增二極管，所述第二新增二極管中陽極到陰極的方向與所述負靜電釋放線路的方向相反。

4.如權利要求3所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述至少一個第二新增二極管串聯(lián)于所述數(shù)據(jù)端口與所述低端控向二極管之間，和/或，所述低端控向二極管與所述接地端之間。

5.如權利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述瞬態(tài)電壓抑制器為具有P型襯底和P型外延的瞬態(tài)電壓抑制器，并且，

所述高端控向二極管的陽極由P型重摻雜構成，陰極由N阱構成；

所述低端控向二極管的陽極由所述P型外延構成，陰極由N阱構成；

所述齊納管的陽極由P阱構成，陰極由N型重摻雜構成；

所述第一新增二極管的陽極由P型重摻雜構成，陰極N阱構成。

6.如權利要求3所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，

所述第二新增二極管的陽極由P型重摻雜構成，陰極由N阱構成。

7.如權利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述瞬態(tài)電壓抑制器為具有N型襯底和N型外延的瞬態(tài)電壓抑制器，并且，

所述高端控向二級管的陽極由P阱構成，陰極由N型外延構成；

所述低端控向二極管的陽極由P阱構成，陰極由N型重摻雜構成；

所述齊納管的陽極由P型重摻雜構成，陰極由N阱構成；

所述第一新增二極管的陽極由P阱構成，陰極N型重摻雜構成。

8.如權利要求3所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，

所述第二新增二極管的陽極由P阱構成，陰極由N型重摻雜構成。

9.如權利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述瞬態(tài)電壓抑制器的整體擊穿電壓為L伏，所述高端控向二極管和低端控向二級管的正向開啟電壓之和為M伏，所述每個第一新增二極管的正向開啟電壓為N伏，則所述至少一個第一新增二極管的個數(shù)為k時，所述齊納管的擊穿電壓為L-M-N×k伏，其中，所述L、M、N為正數(shù)，k為正整數(shù)，且L-M＞N×k。