[發(fā)明專利]襯底處理裝置、晶片支架及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210055696.9
• 申請日: 2012-02-28
• 公開（公告）號: CN102655107A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 福田正直;佐佐木隆史;山口天和;原大介
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/205
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉

1.一種襯底處理裝置，其特征在于，包括：

反應(yīng)容器；

氣體噴嘴，被設(shè)置在所述反應(yīng)容器內(nèi)，并向所述反應(yīng)容器內(nèi)供給反應(yīng)氣體；

舟皿，向所述反應(yīng)容器送入及從所述反應(yīng)容器送出，并包含具有支架保持部的多個舟皿柱；

晶片支架，被所述支架保持部保持，并在其內(nèi)周側(cè)保持襯底，

所述晶片支架的外徑尺寸比所述襯底的外徑尺寸大，并且所述晶片支架能從所述支架保持部拆下。

2.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，具有實質(zhì)上與所述多個舟皿柱的各自的寬度相同的寬度的、所述晶片支架的與從所述晶片支架的徑向的外側(cè)延伸到所述晶片支架的中心的第一假想長方形對應(yīng)的部分的表面積，比所述晶片支架的與以所述晶片支架的中心為中心使所述第一假想長方形旋轉(zhuǎn)到所述多個舟皿柱中的兩個所述舟皿柱的中間位置的第二假想長方形對應(yīng)的部分的表面積小。

3.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述多個舟皿柱包括第一、第二、第三舟皿柱，

所述第一、第二舟皿柱的間隔比所述第二、第三舟皿柱的間隔窄，

所述第二假想長方形位于所述第一、第二舟皿柱的中間位置，

所述晶片支架與所述第二假想長方形對應(yīng)的部分的表面積比與以所述晶片支架的中心為中心使所述第一假想長方形旋轉(zhuǎn)到所述第二、第三舟皿柱的中間位置的第三假想長方形對應(yīng)的部分的所述晶片支架的表面積小。

4.如權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述晶片支架包含切缺部，所述切缺部在所述晶片支架的外周側(cè)且在所述第一舟皿柱和所述第二舟皿柱之間沿所述晶片支架的徑向設(shè)置。

5.如權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述晶片支架的外周側(cè)為圓形，

所述晶片支架包含沖孔，所述沖孔在所述第一舟皿柱和所述第二舟皿柱之間沿所述晶片支架的軸向設(shè)置的。

6.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述晶片支架的所述第二、第三舟皿柱之間的部分的厚度比所述晶片支架的所述第二、第三舟皿柱之間以外的部分的厚度薄。

7.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述晶片支架包含：

貫穿孔，被設(shè)置在所述晶片支架的內(nèi)周側(cè)，并沿所述晶片支架的軸向貫穿；

蓋部件，被安裝在所述晶片支架上，并覆蓋所述襯底的成膜面?zhèn)鹊南喾磦?cè)。

8.如權(quán)利要求7所述的襯底處理裝置，其特征在于，所述晶片支架包含連通孔，其具有實質(zhì)上與所述多個舟皿柱的各自的寬度相同的寬度，并被設(shè)置在與從所述晶片支架的徑向的外側(cè)延伸到所述晶片支架的中心的第一假想長方形對應(yīng)的部分上，并沿著所述晶片支架的軸向。

9.一種晶片支架，以通過支架保持部被保持在舟皿上的方式進(jìn)行移載，并將襯底保持在其內(nèi)周側(cè)，所述舟皿包含具有所述支架保持部的多個舟皿柱，所述晶片支架的特征在于，

所述晶片支架的外徑尺寸比所述襯底的外徑尺寸大，所述晶片支架能從所述支架保持部拆下。

10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，是使用如下襯底處理裝置的半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述襯底處理裝置包括：反應(yīng)容器；氣體噴嘴，被設(shè)置在所述反應(yīng)容器內(nèi)，并向所述反應(yīng)容器內(nèi)供給反應(yīng)氣體；舟皿，向所述反應(yīng)容器送入及從所述反應(yīng)容器送出，并包含具有支架保持部的多個舟皿柱；晶片支架，被所述支架保持部保持，并在其內(nèi)周側(cè)保持襯底，

所述半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包括如下工序：

將舟皿裝載到所述反應(yīng)容器內(nèi)的工序，所述舟皿通過所述支架保持部對保持著所述襯底的所述晶片支架進(jìn)行保持；

通過所述氣體噴嘴將所述反應(yīng)氣體向所述反應(yīng)容器內(nèi)供給從而在所述襯底的表面形成膜的工序；

將所述舟皿從所述反應(yīng)容器送出的工序，

所述晶片支架的外徑尺寸比所述襯底的外徑尺寸大，并且所述晶片支架能從所述支架保持部拆下。