[發明專利]垂直磁記錄介質

有效

• 申請號: 201210055650.7
• 申請日: 2012-03-05
• 公開（公告）號: CN102779532B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 穗積康彰
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: G11B5/667
• 分類號: G11B5/667;G11B5/71
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及搭載于各種磁記錄裝置上的垂直磁記錄介質。更詳細地說，涉及搭載于用作計算機、AV設備等外部存儲裝置的硬盤驅動器(HDD)上的垂直磁記錄介質。

背景技術

1997年以后，HDD的記錄密度以年利率60～100％的比例迅速地增加。這種顯著成長的結果是，迄今為止所使用的面內記錄方式已接近高密度化的極限。從這種狀況看，近年來，能高密度化的垂直記錄方式備受關注，極大地促進了其研究開發。而且，白2005年以來，在一部分機型中采用垂直記錄方式的HDD的商品化終于開始。

垂直磁記錄介質包含：基底層，其至少包含硬質磁性材料的磁記錄層，用于任意選擇性地使磁記錄層在目標的方向取向；保護膜，其保護磁記錄層的表面；和軟磁性材料的襯里層，其承擔使在向磁記錄層的記錄中使用的磁頭所產生的磁通向磁記錄層集中的作用。為了提高磁記錄介質的信號輸出-噪聲比(S/N)，需要提高磁記錄介質的基本的特性。為了進一步實現高記錄密度化，就要提高被記錄在垂直磁記錄介質的信號的熱穩定性。為了提高熱穩定性，就要增大磁記錄層的材料的磁各向異性Ku。為了增大磁各向異性，進行了使用以L1₀結構等為代表的磁晶各向異性或利用了多層膜的界面磁各向異性的研究。

已經提出通過在由Ru等非磁性金屬形成的第一中間層和具有顆粒(granular：粒狀)結構的磁記錄層之間插入用于緩和各層材料的晶格常數的不適配的第二中間層，使該顆粒結構中的磁性晶粒的易磁化軸取向的技術(例如參照專利文獻1)。在該提案中，優選使第二中間層與磁記錄層的磁性晶粒的晶格常數(a軸和c軸)的不適配、和第一中間層與第二中間層的晶格常數(a軸和c軸)的不適配為3％以下。另外，作為第二中間層的材料，記載有使用向CoCr中添加了Nb、Ru、W、Pt等的合金的材料。但是，在為了提高磁記錄介質的性能而減少中間層的膜厚的情況下，需要進一步的改良。

另外，提出了如下技術，即，在使用具有反鐵磁性交換耦合結構的磁記錄層的垂直磁記錄介質中，在包含Ru的第一磁記錄層的下面設置具有顆粒結構的非磁性的第二中間層，由不含Ru的CoCr合金形成非磁性粒子，用金屬(Si、Cr、Ti、W等)氧化物形成粒界，由此防止第二中間層以下的結構層所包含的Ru擴散到磁記錄層而打亂磁記錄層的反鐵磁性交換耦合結構(例如，參照專利文獻2)。

現有技術文獻1

專利文獻

專利文獻1：(日本)特開2002-208126號公報

專利文獻2：(日本)特開2010-27110號公報

發明內容

發明要解決的課題

本發明目的在于不改變現有的層疊結構就可提高磁記錄層的磁各向異性，從而提高記錄信號的熱穩定性。

解決問題的方法

對上述的問題進行了精心研究，結果發現通過在中間層中的Ru或者Ru基合金的層和磁記錄層之間導入由CoCrW構成的薄層，能增大作為磁各向異性的指標的頑磁力，完成了本發明。本發明的垂直磁記錄介質的特征為：具有在非磁性基體上至少依次層疊有中間層、第二基底層和磁記錄層的結構，中間層為Ru或Ru基合金的單一層結構，或者為包含Co和Cr的非磁性合金層與Ru或Ru基合金的層的層疊結構，第二基底層包含30at％以上75at％以下的Co、20at％以上60at％以下的Cr、和0.1at％以上10at％以下的W，第二基底層具有0.1nm以上1.0nrn以下的膜厚。在此，優選中間層具有0.1nm以上30nm以下的膜厚。另外，磁記錄層優選使用具有在非磁性氧化物或者非磁性氮化物的基質中分散有磁性結晶粒子的顆粒結構的材料而形成。

發明效果

在本發明的垂直磁記錄介質中，通過在包含Ru或Ru基合金的層的中間層和包含具有特定的組成的CoCrW且具有特定的膜厚的第二中間層的層疊結構上形成有磁記錄層，能夠實現磁記錄層的磁各向異性的提高和垂直磁記錄介質的記錄信號的熱穩定性的提高。由此，本發明的垂直磁記錄介質能夠對應在高密度下的磁記錄。

附圖說明

圖1是用于說明本發明的垂直磁記錄介質的結構例的截面示意圖；

圖2是表示實施例1的第二基底層的膜厚和頑磁力的關系的圖表；

圖3是表示實施例4中的第二基底層形成時的氧濃度和頑磁力的關系的圖表

符號說明

10非磁性基板

20軟磁性襯里層

30第一基底層

40中間層

50第二基底層

60磁記錄層

70保護層