[發明專利]柔性CIGS薄膜太陽電池窗口層制備工藝無效
| 申請號: | 201210054328.2 | 申請日: | 2012-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN103296128A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發明(設計)人: | 張建柱;孫玉娣;馬格林;彭博 | 申請(專利權)人: | 任丘市永基光電太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C23C14/35 |
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| 地址: | 062550 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 cigs 薄膜 太陽電池 窗口 制備 工藝 | ||
1.一種柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池窗口層的制備工藝,其特征在于:利用卷對卷的生產工藝,依次在不銹鋼為襯底上沉積背電極層/CIGS吸收層/CdS緩沖層/窗口層/減反膜/柵電極。窗口層氧化鋅利用磁控濺射的方法制備。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:銅銦鎵硒薄膜太陽電池的柔性特點體現在襯底使用的為25~100μm厚的不銹鋼帶。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:制備形式采用卷對卷(Roll-To-Roll)的鍍膜方式,改繞卷式的工藝是實現大面積薄膜、大批量生產的最佳途徑。
4.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于:窗口層的制備分本證氧化鋅i-ZnO與摻鋁氧化鋅ZnO:Al的制備。首先在緩沖層上濺射本證氧化鋅i-ZnO,然后在本證氧化鋅上沉積ZnO:Al。
5.據權利要求4所述的制備方法,其特征在于:本證氧化鋅的制備采用雙極性中頻濺射電源,摻鋁氧化鋅的制備采用直流脈沖電源。
6.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于:本證氧化鋅i-ZnO濺射室的真空度為1×10-4~1×10-3Pa,摻鋁氧化鋅ZnO:Al濺射室的真空度為1×10-4~1×10-3Pa。
7.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于:本證氧化鋅i-ZnO的濺射鍍膜采用對向靶濺射的方式,這樣可最大限度的減小濺射過程中高能粒子對緩沖層的沖擊。摻鋁氧化鋅ZnO:Al的濺射鍍膜采用可調式對向靶的鍍膜方式,可調靶的角度為0~90°,這樣可以減小濺射過程中對本證氧化鋅膜的沖擊。
8.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于:電池卷由精密電機和結構控制勻速運動,實現卷對卷的本證氧化鋅i-ZnO的濺射鍍膜。完成本證氧化鋅i-ZnO的濺射鍍膜后,進行回卷濺射,實現摻鋁氧化鋅ZnO:Al的制備。
9.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于:本證氧化鋅i-ZnO鍍膜厚度為50~100nm,摻鋁氧化鋅ZnO:Al鍍膜厚度為500~1000nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





