[發(fā)明專(zhuān)利]SRAM存儲(chǔ)器及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210051716.5
• 申請(qǐng)日: 2012-03-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102569301A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡劍;孔蔚然
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種SRAM存儲(chǔ)器，包括：

基底，位于基底上呈行列排布的多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元包括至少一個(gè)NMOS晶體管和一個(gè)PMOS晶體管；

其特征在于，還包括：位于所述NMOS晶體管和PMOS晶體管以及基底表面的拉應(yīng)力層。

2.如權(quán)利要求1所述的SRAM存儲(chǔ)器，其特征在于，所述拉應(yīng)力層為選自氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅的一種或幾種的組合。

3.如權(quán)利要求1所述的SRAM存儲(chǔ)器，其特征在于，所述拉應(yīng)力層的厚度范圍為50埃～2000埃。

4.如權(quán)利要求1所述的SRAM存儲(chǔ)器，其特征在于，所述拉應(yīng)力層的應(yīng)力為0.5Gpa～1.5Gpa。

5.如權(quán)利要求1所述的SRAM存儲(chǔ)器，其特征在于，所述SRAM存儲(chǔ)器還包括位于所述拉應(yīng)力層上的介質(zhì)層，位于介質(zhì)層上的互連層，所述互連層包括字線、位線、電源線和地線，字線、位線、電源線和地線通過(guò)介質(zhì)層中的插塞與相應(yīng)的晶體管電連接。

6.如權(quán)利要求5所述的SRAM存儲(chǔ)器，其特征在于，所述每個(gè)存儲(chǔ)單元中NMOS晶體管和PMOS晶體管的個(gè)數(shù)為4個(gè)、6個(gè)或8個(gè)。

7.如權(quán)利要求6所述的SRAM存儲(chǔ)器，其特征在于，所述每個(gè)存儲(chǔ)單元中NMOS晶體管和PMOS晶體管的個(gè)數(shù)為6個(gè)，包括：第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管以及第四NMOS晶體管，第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管形成雙穩(wěn)態(tài)電路，第三NMOS晶體管和第四NMOS晶體管為傳輸晶體管；

所述字線與第三NMOS晶體管和第四NMOS晶體管的柵極電連接；

所述位線包括第一位線和第二位線，第一位線和第二位線分別與第三NMOS晶體管的源極、第四NMOS晶體管的源極電連接；

第一PMOS晶體管的源極和第二PMOS晶體管的源極與電源線電連接；

第一NMOS晶體管的漏極和第二NMOS晶體管的漏極與地線電連接；

第一PMOS晶體管的柵極、第一NMOS晶體管的柵極、第二PMOS晶體管的漏極、第二NMOS晶體管的源極、第四NMOS晶體管的漏極電連接；第二PMOS晶體管的柵極、第二NMOS晶體管的柵極、第一PMOS晶體管的漏極、第一NMOS晶體管的源極、第三NMOS晶體管的漏極電連接。

8.一種SRAM存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，包括步驟：

提供基底，所述基底上形成有行列排布的多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元包括至少一個(gè)NMOS晶體管和一個(gè)PMOS晶體管；

形成覆蓋所述NMOS晶體管和PMOS晶體管以及基底表面的拉應(yīng)力層。

9.如權(quán)利要求8所述的SRAM存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述拉應(yīng)力層為選自氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅的一種或幾種的組合。

10.如權(quán)利要求8所述的SRAM存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述拉應(yīng)力層的厚度范圍為50埃～2000埃。

11.如權(quán)利要求8所述的SRAM存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述拉應(yīng)力層的應(yīng)力為0.5Gpa～1.5Gpa。

12.如權(quán)利要求8所述的SRAM存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述拉應(yīng)力層的形成方法為化學(xué)氣相沉積工藝。

13.如權(quán)利要求8所述的SRAM存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，還包括步驟，在所述拉應(yīng)力層上形成介質(zhì)層，在介質(zhì)層上形成互連層，所述互連層包括字線、位線、電源線和地線，字線、位線、電源線和地線通過(guò)介質(zhì)層中的插塞與相應(yīng)的晶體管電連接。

14.如權(quán)利要求13所述的SRAM存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述每個(gè)存儲(chǔ)單元中NMOS晶體管和PMOS晶體管的個(gè)數(shù)為4個(gè)、6個(gè)或8個(gè)。

15.如權(quán)利要求14所述的SRAM存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述每個(gè)存儲(chǔ)單元中NMOS晶體管和PMOS晶體管的個(gè)數(shù)為6個(gè)，包括：第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管以及第四NMOS晶體管，第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管形成雙穩(wěn)態(tài)電路，第三NMOS晶體管和第四NMOS晶體管為傳輸晶體管；

所述字線與第三NMOS晶體管和第四NMOS晶體管的柵極電連接；

所述位線包括第一位線和第二位線，第一位線和第二位線分別與第三NMOS晶體管的漏極、第四NMOS晶體管的漏極電連接；

第一PMOS晶體管的源極和第二PMOS晶體管的源極與電源線電連接；

第一NMOS晶體管的源極和第二NMOS晶體管的源極與地線電連接；

第一PMOS晶體管的柵極、第一NMOS晶體管的柵極、第二PMOS晶體管的漏極、第二NMOS晶體管的漏極、第四NMOS晶體管的源極電連接；第二PMOS晶體管的柵極、第二NMOS晶體管的柵極、第一PMOS晶體管的漏極、第一NMOS晶體管的漏極、第三NMOS晶體管的源極電連接。