[發明專利]一種液晶顯示器的有源矩陣背板

無效

• 申請號: 201210051244.3
• 申請日: 2012-03-01
• 公開（公告）號: CN102956648A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 趙淑云;郭海成;王文
• 申請（專利權）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G09G3/36
• 代理公司: 北京瑞恒信達知識產權代理事務所(普通合伙) 11382
• 代理人: 苗青盛;王鳳華

1.一種場序彩色QVGA液晶顯示器的有源矩陣背板，包括：

基板；

基板上的多晶硅薄膜晶體管，該多晶硅薄膜晶體管具有兩個分隔開的柵極，薄膜晶體管的溝道寬/長比為24μm/5μm×2，柵極絕緣層為厚度為50納米的低溫氧化物；

掃描線，寬度為12μm，厚度為200納米，由鋁制成；

數據線，寬度為12μm；

掃描線與數據線之間的間隔物，由氧化物制成，厚度為120納米。

2.根據權利要求1所述的有源矩陣背板，其中同一層之間的圖形的最小間隔是5μm，并且不同的圖形間的最小間隔是2μm。

3.根據權利要求1所述的有源矩陣背板，還包括像素電容，像素電容由在和掃描線不同層的數據線間的電容、掃描線和在其上的LC間的電容、尋址薄膜晶體管間的電容組成。

4.根據權利要求1所述的有源矩陣背板，其中多晶硅薄膜晶體管的有源層為連續帶狀區域多晶硅薄膜。

5.根據權利要求4所述的有源矩陣背板，其中所述多晶硅薄膜晶體管的有源層由掩膜金屬誘導晶化法制備，該方法包括：

步驟1)以等離子體化學氣相沉積二氧化硅到襯底上，再以低壓化學氣相沉積非晶硅薄膜；

步驟2)在非晶硅薄膜表面形成納米二氧化硅層，通過光刻工藝形成誘導線窗口，在誘導線處形成薄的化學氧化層；

步驟3)在二氧化硅層和化學氧化層上濺射一層7-14埃的鎳硅氧化物，高溫退火將非晶硅全部晶化。

6.根據權利要求5所述的有源矩陣背板，其中步驟2)中誘導線處的化學氧化層，厚度為1-2nm，通過將表面潔凈的非晶硅浸入H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液在120℃下浸泡而形成。

7.根據權利要求5所述的有源矩陣背板，其中步驟2)中納米二氧化硅層的厚度為3-6納米。

8.一種制造根據權利要求1所述的QVGA有源矩陣背板的方法，包括：

在基板上沉積非晶硅薄膜；

在非晶硅薄膜表面形成納米二氧化硅層，通過光刻工藝形成誘導線窗口，在誘導線處形成薄的化學氧化層；

在二氧化硅層和化學氧化層上濺射一層7-14埃的鎳硅氧化物，高溫退火將非晶硅全部晶化，形成多晶硅層；

以該多晶硅層作為有源層，制造多晶硅薄膜晶體管，使該多晶硅薄膜晶體管具有兩個分隔開的柵極，薄膜晶體管的溝道寬/長比為24μm/5μm×2；

形成數據線和掃描線，其中掃描線的寬度為12μm，由鋁制成，數據線寬度為12μm，且掃描線與數據線之間的間隔物由氧化物制成，厚度為50納米。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其中誘導線處的化學氧化層的厚度為1-2nm，通過將表面潔凈的非晶硅浸入H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液在120℃下浸泡而形成。

10.一種場序彩色QVGA液晶顯示器，包括如權利要求1所述的有源矩陣背板。