[發(fā)明專(zhuān)利]一種中紅外激光器的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210048679.2
• 申請(qǐng)日: 2012-02-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102593718A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李耀耀;李?lèi)?ài)珍;張永剛;丁惠鳳;李好斯白音
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01S5/12
• 分類(lèi)號(hào): H01S5/12;G03F7/20
• 代理公司: 上海泰能知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31233
• 代理人: 宋纓;孫健

1.一種中紅外激光器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)制備氧化硅光柵層：利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在器件表面生長(zhǎng)一層氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制備全息光柵掩膜；采用反應(yīng)離子刻蝕的方法將光柵圖形轉(zhuǎn)移到氮化硅膜上，形成了一層氮化硅的光柵掩膜；

(2)在有臺(tái)面的位置上制備反饋光柵：選擇和臺(tái)面結(jié)構(gòu)相似的光刻版圖，在氮化硅的光柵掩膜上制備光刻膠掩膜圖形，并在氮化硅的光柵掩膜上制備光柵刻蝕窗口；利用氮化硅和光刻膠雙層掩膜，通過(guò)ICP刻蝕的方法在器件表面制備光柵，使得光柵完全覆蓋在器件所要制備臺(tái)面的位置上；

(3)制備激光器臺(tái)面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中紅外激光器的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)全息曝光方法通過(guò)全息曝光系統(tǒng)完成，所述全息曝光系統(tǒng)包括透鏡、空間濾波器、襯底片和高反鏡；進(jìn)入全息曝光系統(tǒng)的單色光經(jīng)透鏡匯聚，然后經(jīng)過(guò)空間濾波器擴(kuò)束，擴(kuò)束后的單色光經(jīng)透鏡形成平行光束；一部分平行光直接入射到需要制備全息光柵的襯底片上，另一部分平行光入射到高反鏡上，再反射到襯底上，這兩束平行光之間發(fā)生干涉并在涂有光刻膠的襯底片上形成明暗相間的干涉條紋實(shí)現(xiàn)曝光，曝光后的光掩膜通過(guò)顯影形成全息光柵掩膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中紅外激光器的制備方法，其特征在于，所述襯底上涂覆的光刻膠由光刻膠S6809和稀釋液E2以體積比1∶2的比例配制而成，采用的顯影液由顯影劑MF320與去離子水以體積比2∶1配制而成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中紅外激光器的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中制備激光器臺(tái)面還包括以下子步驟，先去除氮化硅薄膜，再涂覆光刻膠掩膜，通過(guò)普通光刻的方法將臺(tái)面圖形制作在光刻膠上，臺(tái)面圖形與表面光柵對(duì)準(zhǔn)，再通過(guò)濕法腐蝕的方法將臺(tái)面圖形轉(zhuǎn)移到器件上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的中紅外激光器的制備方法，其特征在于，所述濕法腐蝕采用的腐蝕液為由HBr、HNO₃和H₂O按體積比1∶1∶8的比例配置而成。