[發(fā)明專利]釹鐵硼磁體表面超疏水薄膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210043961.1
• 申請日: 2012-02-26
• 公開（公告）號: CN102527620A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 歐軍飛;薛名山;王法軍;李文
• 申請（專利權）人: 南昌航空大學
• 主分類號: B05D5/08
• 分類號: B05D5/08
• 代理公司: 南昌洪達專利事務所 36111
• 代理人: 劉凌峰

1.一種釹鐵硼磁體表面超疏水薄膜的制備方法，其特征在于主要包括以下步驟：

（1）采用金相砂紙打磨釹鐵硼磁體表面，除去表面明顯銹跡；

（2）將打磨后的釹鐵硼基片依次放入丙酮、超純水中超聲清洗5~10?min，以除去表面油污；

（3）將超聲清洗后的釹鐵硼磁體浸入化學腐蝕液中處理1~10?min，處理溫度為室溫；

（4）選取低表面能硫醇分子，配制稀溶液，溶劑為無水乙醇，并加入少量冰醋酸；

（5）將化學腐蝕后的釹鐵硼磁體經(jīng)大量超純水淋洗，然后用氮氣吹干，浸入上述配制的硫醇稀溶液中，靜置4~12小時，取出后依次在乙醇、超疏水中超聲清洗2~5min，氮氣吹干，既得超疏水薄膜。

2.如權利要求1所述的釹鐵硼磁體表面超疏水薄膜的制備方法，其特征在于所述化學腐蝕液是質量分數(shù)為10~30?%的硝酸溶液。

3.如權利要求1所述的釹鐵硼磁體表面超疏水薄膜的制備方法，其特征在于低表面能硫醇分子為1H,1H,2H,2H-全氟辛硫醇、1H,1H,2H,2H-全氟癸基硫醇中的一種。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述低表面能硫醇分子稀溶液濃度為1~10?mmol/L，冰醋酸體積濃度為0.4~4?%。