[發(fā)明專利]鋁箔法恢復(fù)晶體硅極化組件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210041886.5 | 申請日： | 2012-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN102593251A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 姜猛;茅永俊;張臻;張曉青 | 申請（專利權(quán)）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市維益專利事務(wù)所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鋁箔 恢復(fù) 晶體 極化 組件 方法 | ||
1.一種鋁箔法恢復(fù)晶體硅極化組件的方法，其特征是：除了接線盒和引出線，太陽能組件(1)的其他部分用鋁箔(2)包裹嚴(yán)實，將直流恒壓源(3)與太陽能組件(1)的引出線連接，施加電壓，施加的電壓在1000V-1500V之間，
對于N型太陽能電池組件，直流恒壓源(3)的負(fù)極與太陽能組件(1)的引出線的正極連接，直流恒壓源(3)的正極與鋁箔(2)連接；
對于P型太陽能電池組件，直流恒壓源(3)的正極與太陽能組件(1)的引出線的正極連接，直流恒壓源(3)的負(fù)極與鋁箔(2)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁箔法恢復(fù)晶體硅極化組件的方法，其特征是：對太陽能組件(1)施加電壓時，檢測漏電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁箔法恢復(fù)晶體硅極化組件的方法，其特征是：具體步驟為：
a.準(zhǔn)備鋁箔(2)一張；
b.除了接線盒和引出線，太陽能組件(1)的其他部分用鋁箔(2)包裹嚴(yán)實；
c.將直流恒壓源(3)與太陽能組件(1)的引出線連接，在直流恒壓源(3)和太陽能組件(1)的連接電路中串入漏電流檢測儀(5)，直流恒壓源(3)與太陽能組件(1)的連接方式為：
對于N型太陽能電池組件，直流恒壓源(3)的負(fù)極與太陽能組件(1)的引出線的正極連接，直流恒壓源(3)的正極與鋁箔(2)連接；
對于P型太陽能電池組件，直流恒壓源(3)的正極與太陽能組件(1)的引出線的正極連接，直流恒壓源(3)的負(fù)極與鋁箔(2)連接；
d.對太陽能組件(1)施加電壓1000V電壓，并監(jiān)控漏電流；
e.極化恢復(fù)過程中根據(jù)實際情況間隔一段時間通過監(jiān)控的漏電流來確定極化組件的恢復(fù)情況及組件電池片的情況。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
