[發明專利]銅酞菁齊聚物/聚合物高介電常數復合薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210041612.6
• 申請日: 2012-02-23
• 公開（公告）號: CN102585266A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 王經文;李淑琴
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08L27/16;C08L75/04;C08L63/00;C08L33/00;C08L25/18;C08K5/3467
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 曹翠珍

1.一種銅酞菁齊聚物/聚合物高介電常數復合薄膜的制備方法，其特征在于：先將銅酞菁齊聚物化學接枝到聚合物上，然后利用溶液澆鑄法制備銅酞菁齊聚物/聚合物復合薄膜，該薄膜介電常數在室溫下100Hz時為400以上，介電損耗低于0.24。

2.根據權利要求1所述的銅酞菁齊聚物/聚合物高介電常數復合薄膜的制備方法，其特征在于所述的聚合物為帶有PVDF基團的聚合物、聚氨酯、環氧樹脂、丙烯酸樹脂彈性體或聚對氯甲基苯乙烯之任一種。

3.根據權利要求1所述的銅酞菁齊聚物/聚合物高介電常數復合薄膜的制備方法，其特征在于所述帶有PVDF基團的聚合物為聚偏氟乙烯、偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物以及偏氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯三聚物之任一種。

4.根據權利要求1所述的銅酞菁齊聚物/聚合物高介電常數復合薄膜的制備方法，其特征在于銅酞菁齊聚物化學接枝到聚合物上是將銅酞菁齊聚物和聚合物溶于DMF中，抽真空，通氮氣保護，加熱，反應得到化學接枝到聚合物銅酞菁齊聚物。

5.根據權利要求1或4所述的銅酞菁齊聚物/聚合物高介電常數復合薄膜的制備方法，其特征在于銅酞菁齊聚物化學接枝到聚合物上的方法是將0.1～0.5g銅酞菁齊聚物和0.2～3g聚合物溶于DMF中，抽真空，通氮氣保護，50～100℃油浴加熱，反應5～20h得到化學接枝到聚合物銅酞菁齊聚物。

6.根據權利要求4所述的銅酞菁齊聚物/聚合物高介電常數復合薄膜的制備方法，其特征在于PVDF基聚合物需要在接枝前增加活性芐氯基團。

7.根據權利要求6所述的銅酞菁齊聚物/聚合物高介電常數復合薄膜的制備方法，其特征在于增加活性芐基基團的過程是將PVDF基聚合物溶于N-甲基-2-吡咯烷酮中，在10～50℃經臭氧化處理使其分子鏈帶上過氧基團，后在氮氣保護下，于50～100℃油浴中與對氯甲基苯乙烯反應3～8個小時。

8.根據權利要求6所述的銅酞菁齊聚物/聚合物高介電常數復合薄膜的制備方法，其特征在于接枝過程是：PVDF基聚合物的接枝過程是將增加活性芐基基團的PVDF基聚合物溶于N，N-二甲基甲酰胺中，加入三乙胺，通氮氣，在50～100℃油浴中，與銅酞菁齊聚物反應15～20個小時。

9.根據權利要求4所述的銅酞菁齊聚物/聚合物高介電常數復合薄膜的制備方法，其特征在于銅酞菁齊聚物與環氧樹脂、丙烯酸樹脂彈性體、聚氨酯三種聚合物的接枝方法是將0.1～0.5g銅酞菁齊聚物和1～3g聚合物都溶于DMF中，抽真空，通氮氣保護，在50～100℃油浴中，反應5～10個小時分別得到EP-g-CuPc、AE-g-CuPc、PU-g-CuPc；與聚對氯甲基苯乙烯的接枝過程反應條件與三種聚合物相同，但原料比例為0.1～0.5g銅酞菁齊聚物和0.2～1g聚對氯甲基苯乙烯，且需要添加反應產物鹽酸的堿性中和劑。

10.根據權利要求1所述的銅酞菁齊聚物/聚合物高介電常數復合薄膜的制備方法，其特征在于所述的溶液澆鑄法是將聚合物基體與銅酞菁齊聚物的接枝復合物置于有機溶劑中通過機械攪拌或球磨或超聲分散使其完全溶解，然后將溶液滴加于干凈的載玻片上，使之成薄膜粘附在載玻片上，將載玻片水平放置在烘箱中加熱、干燥、熱處理，得到改性銅酞菁齊聚物/聚合物復合薄膜。