[發明專利]襯底模型參數計算方法、光刻設備及控制光刻過程的設備無效
| 申請號: | 201210041207.4 | 申請日: | 2012-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN102650832A | 公開(公告)日: | 2012-08-29 |
| 發明(設計)人: | I·里尤利納;H·J·G·西蒙斯;M·G·田納;P·J·赫利斯;M·范柯莫納德;S·C·T·范德山登;D·M·斯勞特布姆 | 申請(專利權)人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G06F19/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 吳敬蓮 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 模型 參數 計算方法 光刻 設備 控制 過程 | ||
技術領域
本發明涉及計算襯底的模型參數的方法、光刻設備以及用于控制光刻設備的光刻過程的設備。
背景技術
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上,通常是襯底的目標部分上的機器。例如,可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下,可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如,硅晶片)上的目標部分(例如,包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。所述圖案的轉移通常是通過將圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)的層上。通常,單個襯底將包含連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括:所謂的步進機,在所述步進機中,通過將整個圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分;以及所謂的掃描器,在所述掃描器中,通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。
為了相繼地將被曝光的目標部分精確地曝光在彼此之上,襯底將設置有對準標記、以便在襯底上提供參考部位。通過測量對準標記的部位,可以計算先前曝光的目標部分的位置,并可以控制光刻設備、使其曝光先前曝光過的目標部分之上的后續目標部分。為了以所需的精確度確定先前曝光的目標部分的位置,估計襯底的模型參數是有利的。過去,僅使用線性模型來以所需的重疊規格相繼曝光彼此之上的目標部分就已經足夠了。然而,非線性項可以是對覆蓋誤差的最大的貢獻者。最近的發展也允許測量每個襯底的更多的對準標記。線性模型的精確度在更多的對準標記的情況下不能提高。因此,需要更加復雜精密的模型。
發明內容
期望計算襯底的模型參數。
根據本發明的第一方面,提供一種計算設備內襯底的模型參數的方法,所述方法包括步驟:測量所述設備內的襯底上的多個標記的部位(location);使用所測量的多個標記的部位以生成徑向基函數;和使用所生成的徑向基函數作為跨經所述襯底的基函數來計算在所述設備內的所述襯底的模型參數。
使用計算的模型參數,襯底臺上的襯底上的部位可以通過插值更精確地確定,以最小化在設備內曝光的襯底的重疊誤差。所述方法還可以用于計算在設備內的第一和第二襯底臺的模型參數,以最小化重疊誤差,例如用于所謂的卡盤至卡盤的校準。所述方法還用于計算在制造場所內第一和第二設備的模型參數,例如用于所謂的機器至機器的校準,其中在制造場所內的第一和第二設備被校準以便最小化重疊誤差。所述方法還用于機器設置。
根據本發明的第二方面,提供一種光刻設備,布置成跨經襯底執行光刻過程和控制光刻過程,所述設備包括處理器,所述處理器配置成:接收在光刻設備中的襯底上的多個標記的測量部位;使用所測量的標記部位生成徑向基函數;用所述徑向基函數作為跨經所述襯底的基函數來計算在所述光刻設備內所述襯底的模型參數;和使用所述模型參數控制所述光刻設備的光刻過程。
根據本發明的第三方面,提供一種設備,布置用以控制光刻設備的光刻過程和跨經襯底執行光刻過程,所述設備包括處理器,所述處理器配置成:接收在所述設備內襯底上的多個標記的測量部位;使用所測量的標記部位生成徑向基函數;用所述徑向基函數作為跨經所述襯底的基函數來計算在所述設備內所述襯底的模型參數;和使用所述模型參數控制所述光刻設備的光刻過程。
本發明可以應用于光刻設備或應用于可以用于控制光刻設備的光刻過程和跨經襯底執行光刻過程的設備,例如軌道(通常將抗蝕劑層應用至襯底并將曝光的抗蝕劑顯影的工具)、量測工具和/或檢查工具(例如,SEM/TEM)。
附圖說明
現在參照隨附的示意性附圖,僅以舉例的方式,描述本發明的實施例,其中,在附圖中相應的附圖標記表示相應的部件,且其中:
圖1示出光刻設備;
圖2示出襯底布局和襯底上若干個點相對于中心的徑向距離;和
圖3示出具有5、9以及25個定位點的曝光場的若干個布局。
具體實施方式
圖1示意地示出了一光刻設備。所述光刻設備包括:
-照射系統(照射器)IL,其配置用于調節輻射束B(例如,紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射);
-支撐結構(例如掩模臺)MT,其構造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA,并與用于根據確定的參數精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連;
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