[發(fā)明專利]襯底模型參數(shù)計算方法、光刻設備及控制光刻過程的設備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210041207.4
• 申請日: 2012-02-21
• 公開（公告）號: CN102650832A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發(fā)明（設計）人: I·里尤利納;H·J·G·西蒙斯;M·G·田納;P·J·赫利斯;M·范柯莫納德;S·C·T·范德山登;D·M·斯勞特布姆
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G06F19/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

1.一種計算設備內(nèi)襯底的模型參數(shù)的方法，所述方法包括步驟：

測量所述設備內(nèi)的襯底上的標記的部位；

使用所測量的標記的部位生成徑向基函數(shù)；和

使用所生成的徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來計算在所述設備內(nèi)的所述襯底的模型參數(shù)。

2.如權利要求1所述的方法，其中，使用所測量的標記的部位的步驟包括使用所述標記的預定部位和所測量的部位。

3.如權利要求1或2所述的方法，其中，所述徑向基函數(shù)是高斯基函數(shù)、逆基函數(shù)、多重二次基函數(shù)、逆二次基函數(shù)、樣條度k基函數(shù)或薄板樣條基函數(shù)。

4.如權利要求2所述的方法，其中，計算在所述設備內(nèi)的所述襯底的模型參數(shù)的步驟包括步驟：

使用所述徑向基函數(shù)和所述預定的標記部位構造矩陣。

5.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，優(yōu)化所述預定的標記部位以提高所計算的模型參數(shù)的精確度。

6.如權利要求5所述的方法，其中，使用包括沃羅諾伊圖的算法來優(yōu)化所述預定的標記部位。

7.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述徑向基函數(shù)包括松弛參數(shù)。

8.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述設備是光刻設備并且所述方法還包括步驟：

使用所述光刻設備跨經(jīng)襯底執(zhí)行光刻過程，和

通過所述光刻設備、使用所計算的模型參數(shù)來控制所述光刻過程。

9.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述設備是包括第一和第二襯底臺的光刻設備并且所述方法還包括步驟：

測量在所述設備內(nèi)的第一和第二襯底臺上的襯底上的標記的部位。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述方法還包括：

使用在第一和第二襯底臺上的襯底上的標記的所測量的部位為在第一和第二襯底臺上的襯底生成徑向基函數(shù)；和

使用所生成的徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來計算在所述設備中的第一和第二襯底臺上的所述襯底的模型參數(shù)。

11.如權利要求9所述的方法，其中所述方法還包括步驟：

使用在第一襯底臺上的襯底上的標記的所測量的部位和在第二襯底臺上的標記的所測量的部位為在第一和第二襯底臺上的襯底之間的差異生成徑向基函數(shù)；和

使用所生成的徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來計算在所述設備內(nèi)的第一或第二襯底臺上的襯底之間的所述差異的模型參數(shù)。

12.如權利要求1-8中任一項所述的方法，其中，所述設備位于包括具有第一和第二襯底部位的第一和第二設備的制造場所內(nèi)，所述方法包括步驟：

測量在第一和第二襯底部位上的襯底上的標記的部位；

使用在第一襯底部位上的襯底上的標記的所測量的部位和在第二襯底部位上的標記的所測量的部位為在第一或第二襯底部位上的襯底之間的差異生成徑向基函數(shù)；和

使用所生成的徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來計算在所述制造場所內(nèi)的第一或第二襯底部位上襯底之間的差異的模型參數(shù)。

13.一種光刻設備，布置成跨經(jīng)襯底執(zhí)行光刻過程并控制所述光刻過程，所述設備包括處理器，所述處理器配置成：

接收在光刻設備內(nèi)的襯底上的標記的測量部位；

使用所測量的標記部位生成徑向基函數(shù)；

使用所述徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來計算在所述光刻設備內(nèi)所述襯底的模型參數(shù)；和

使用所述模型參數(shù)來控制由所述光刻設備執(zhí)行的光刻過程。

14.一種布置用以控制由光刻設備執(zhí)行的光刻過程和跨經(jīng)襯底執(zhí)行光刻過程的設備，所述設備包括處理器，所述處理器配置成：

接收在所述設備內(nèi)的襯底上的標記的測量部位；

使用所測量的標記部位生成徑向基函數(shù)；

使用所述徑向基函數(shù)作為跨經(jīng)所述襯底的基函數(shù)來計算在所述設備內(nèi)的所述襯底的模型參數(shù)；和

使用所述模型參數(shù)來控制由所述光刻設備執(zhí)行的光刻過程。

15.如權利要求13或14所述的設備，其中，所述徑向基函數(shù)是高斯基函數(shù)、逆基函數(shù)、多重二次基函數(shù)、逆二次基函數(shù)、樣條度k基函數(shù)或薄板樣條基函數(shù)。