[發(fā)明專利]一種雙極性氧化亞錫反相器的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210040980.9
• 申請(qǐng)日: 2012-02-22
• 公開（公告）號(hào): CN102593063A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹鴻濤;梁凌燕;劉志敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
• 主分類號(hào): H01L21/8254
• 分類號(hào): H01L21/8254;H01L21/84
• 代理公司: 杭州天勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224
• 代理人: 劉誠午

1.一種雙極性氧化亞錫反相器的制備方法，包括以下步驟：

1)選擇襯底，并進(jìn)行柵介質(zhì)層及輸入端電極的制備；

2)采用電子束蒸發(fā)設(shè)備和氧化錫蒸發(fā)料，沉積氧化亞錫薄膜，之后進(jìn)行第一次熱退火處理，完成氧化亞錫溝道層的制備；

3)制備輸出端電極、電源供應(yīng)端電極及接地電極，進(jìn)行第二次退火處理，完成底柵結(jié)構(gòu)的雙極性氧化亞錫反相器的制備；

或者，

a)選擇襯底，在襯底上制備輸出端電極、電源供應(yīng)端電極及接地電極；

b)采用電子束蒸發(fā)設(shè)備和氧化錫蒸發(fā)料，沉積氧化亞錫薄膜，之后進(jìn)行第一次熱退火處理，完成氧化亞錫溝道層的制備；

c)制備柵介質(zhì)層及輸入端電極，進(jìn)行第二次退火處理，完成頂柵結(jié)構(gòu)的雙極性氧化亞錫反相器的制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極性氧化亞錫反相器的制備方法，其特征在于，步驟2)和步驟b)中，所述的氧化亞錫薄膜的沉積溫度為5℃～300℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙極性氧化亞錫反相器的制備方法，其特征在于，所述的氧化亞錫薄膜的沉積溫度為10℃～50℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極性氧化亞錫反相器的制備方法，其特征在于，所述的第一次熱退火處理和第二次退火處理均在惰性氣體中進(jìn)行。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙極性氧化亞錫反相器的制備方法，其特征在于，所述的惰性氣體為氬氣。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極性氧化亞錫反相器的制備方法，其特征在于，步驟2)和步驟b)中，所述的第一次熱退火處理的條件：在300℃至450℃熱退火處理1分鐘至20分鐘；

步驟3)和步驟c)中，所述的第二次熱退火處理的條件：在350℃至400℃熱退火處理10分鐘至20分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙極性氧化亞錫反相器的制備方法，其特征在于，步驟2)和步驟b)中，所述的第一次熱退火處理的條件：在400℃熱退火處理10分鐘；

步驟3)和步驟c)中，所述的第二次熱退火處理的條件：在400℃熱退火處理10分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極性氧化亞錫反相器的制備方法，其特征在于，步驟3)和步驟a)中，所述的輸出端電極、電源供應(yīng)端電極及接地電極均采用雙層薄膜電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙極性氧化亞錫反相器的制備方法，其特征在于，所述的雙層薄膜電極為鎳和金的復(fù)合雙層薄膜電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極性氧化亞錫反相器的制備方法，其特征在于，步驟3)和步驟a)中，所述的輸出端電極、電源供應(yīng)端電極及接地電極均在電子束蒸發(fā)設(shè)備中進(jìn)行制備。