[發(fā)明專利]高隔離度的低雜訊降頻器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210037155.3 | 申請日: | 2012-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN103259066A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈文灶;沈文煙;蘇正年 | 申請(專利權(quán))人: | 也翔國際股份有限公司 |
| 主分類號: | H01P1/161 | 分類號: | H01P1/161;H01Q13/02 |
| 代理公司: | 天津三元專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 12203 | 代理人: | 鄭永康 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣桃園*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 隔離 雜訊 降頻器 | ||
1.一種高隔離度的低雜訊降頻器,包括:
一本體,內(nèi)部具有容置空間;
一電路板,設(shè)置在該容置空間內(nèi),其電性連接一輸出端;
一導(dǎo)波管,由該本體向前延伸的管狀體,其管內(nèi)形成一第一導(dǎo)波腔室;
一饋電器,由設(shè)于該導(dǎo)波管前端的串聯(lián)同心環(huán)所構(gòu)成;
其特征在于:
該本體由一前殼體及一后殼體所組成,該前殼體于該導(dǎo)波管的第一導(dǎo)波腔室側(cè)邊,呈連通狀設(shè)有一向前凸伸的第三導(dǎo)波腔室;該后殼體相對于該第三導(dǎo)波腔室設(shè)有一向后凸伸的第四導(dǎo)波腔室,再者該后殼體相對于該導(dǎo)波管的第一導(dǎo)波腔室,設(shè)有一向后凸伸的第二導(dǎo)波腔室;
該電路板的后側(cè)面對應(yīng)于該第二及第四導(dǎo)波腔室,在其表面直接印刷設(shè)有一水平探針及一垂直探針;
借此,該水平探針位于該第一導(dǎo)波腔室與第二導(dǎo)波腔室之間,且面向該第二導(dǎo)波腔室,用以接收水平極化的電波,而該垂直探針位于該第三導(dǎo)波腔室與第四導(dǎo)波腔室之間,且面向該第四導(dǎo)波腔室,用以接收垂直極化的電波,借由第一、二、三、四導(dǎo)波腔室的設(shè)計(jì),據(jù)以將水平電波及垂直電波訊號分隔開來。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高隔離度的低雜訊降頻器,其特征在于,所述第二導(dǎo)波腔室配合所述第一導(dǎo)波腔室設(shè)成圓型體,且后側(cè)面及周緣呈封閉而開口朝前面對所述電路板的圓型空腔,使所述第一及第二導(dǎo)波腔室組成前、后對應(yīng)的水平電波空腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高隔離度的低雜訊降頻器,其特征在于,所述第三導(dǎo)波腔室與所述第一導(dǎo)波腔室之間形成一連通的長槽,且所述第三導(dǎo)波腔室自所述長槽橫向延伸,形成前側(cè)面及周緣呈封閉而開口朝后面對所述電路板的長型空腔,所述第四導(dǎo)波腔室對應(yīng)于所述第三導(dǎo)波腔室,設(shè)成后側(cè)面及周緣封閉而開口朝前面對所述電路板的長型空腔,使所述第三及第四導(dǎo)波腔室組成前、后對應(yīng)的垂直電波空腔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高隔離度的低雜訊降頻器,其特征在于,所述電路板于所述水平探針周邊,設(shè)有可供水平電波由所述第一導(dǎo)波腔室導(dǎo)入所述第二導(dǎo)波腔室的缺槽,而所述電路板于所述垂直探針周邊,設(shè)有可供垂直電波由所述第三導(dǎo)波腔室導(dǎo)入所述第四導(dǎo)波腔室的缺槽。
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