[發(fā)明專利]無電容型低壓差線性穩(wěn)壓系統(tǒng)及其偏置電流調(diào)整電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210036657.4
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN103257665A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁仁光;胡勝發(fā)
• 申請（專利權(quán)）人: 安凱(廣州）微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: G05F1/565
• 分類號: G05F1/565
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種無電容型低壓差線性穩(wěn)壓系統(tǒng)的偏置電流調(diào)整電路，與直流電源及無電容型低壓差線性穩(wěn)壓器相連接，其特征在于，所述偏置電流調(diào)整電路包括：

靜態(tài)電壓信號生成模塊，電源端接所述直流電源的輸出端，第一控制端和第二控制端分別與所述無電容型低壓差線性穩(wěn)壓器的第一節(jié)點和第二節(jié)點相連接，用于根據(jù)所述無電容型低壓差線性穩(wěn)壓器的第一節(jié)點和第二節(jié)點的電壓變化生成兩個不同的靜態(tài)電壓信號；

高通濾波模塊，電源端接所述直流電源的輸出端，第一輸入端和第二輸入端分別接所述靜態(tài)電壓信號生成模塊的第一輸出端和第二輸出端，用于對所述兩個不同的靜態(tài)電壓信號進(jìn)行濾波處理；

電流調(diào)節(jié)模塊，電源端接所述直流電源的輸出端，第一控制端和第二控制端分別與所述高通濾波模塊的第一輸出端和第二輸出端相連接，電流調(diào)節(jié)端接所述無電容型低壓差線性穩(wěn)壓器的偏置電流端，用于根據(jù)所述高通濾波模塊處理過的兩個不同的靜態(tài)電壓信號對所述無電容型低壓差線性穩(wěn)壓器的偏置電流進(jìn)行調(diào)節(jié)。

2.如權(quán)利要求1所述的偏置電流調(diào)整電路，其特征在于，所述靜態(tài)電壓信號生成模塊包括：

PMOS管Mp1、NMOS管Mn1、PMOS管Mp2、NMOS管Mn2、PMOS管Mp3、NMOS管Mn3、PMOS管Mp4及NMOS管Mn4；

所述PMOS管Mp1的源極和柵極分別為所述靜態(tài)電壓信號生成模塊的電源端和第一控制端，所述PMOS管Mp1的漏極接所述NMOS管Mn1的漏極，所述NMOS管Mn1的柵極為所述靜態(tài)電壓信號生成模塊的第二控制端，所述NMOS管Mn1的源極接等電勢地，所述PMOS管Mp2的源極接所述PMOS管Mp1的源極，所述PMOS管Mp2的柵極與所述NMOS管Mn2的柵極共接于所述PMOS管Mp1的漏極，所述PMOS管Mp2的漏極與所述NMOS管Mn2的漏極共接并形成所述靜態(tài)電壓信號生成模塊的第一輸出端，所述NMOS管Mn2的源極接等電勢地，所述PMOS管Mp3的源極和柵極分別與所述PMOS管Mp2的源極和所述PMOS管Mp1的柵極相連接，所述PMOS管Mp3的漏極接所述NMOS管Mn3的漏極，所述NMOS管Mn3的柵極和源極分別接所述NMOS管Mn1的柵極和等電勢地，所述PMOS管Mp4的源極接所述PMOS管Mp3的源極，所述PMOS管Mp4的柵極與所述NMOS管Mn4的柵極共接于所述PMOS管Mp3的漏極，所述PMOS管Mp4的漏極與所述NMOS管Mn4的漏極共接并形成所述靜態(tài)電壓信號生成模塊的第二輸出端，所述NMOS管Mn4的源極接等電勢地。

3.如權(quán)利要求1所述的偏置電流調(diào)整電路，其特征在于，所述高通濾波模塊包括：

電容C1、電阻R1、電阻R2及電容C2；

所述電容C1的正極為所述高通濾波模塊的第一輸入端，所述電容C1的負(fù)極與所述電阻R1的第一端共接并形成所述高通濾波模塊的第一輸出端，所述電阻R1的第二端接等電勢地，所述電容C2的正極為所述高通濾波模塊的第二輸入端，所述電阻R2的第一端為所述高通濾波模塊的電源端，所述電阻R2的第二端與所述電容C2的負(fù)極共接并形成所述高通濾波模塊的第二輸出端。

4.如權(quán)利要求1所述的偏置電流調(diào)整電路，其特征在于，所述電流調(diào)節(jié)模塊包括：

NMOS管Mns、PMOS管Mps、PMOS管Mpb1、PMOS管Mpb2、PMOS管Mpb3、電流源Ib、NMOS管Mnb1及NMOS管Mnb2；

所述NMOS管Mns的柵極為所述電流調(diào)節(jié)模塊的第一控制端，所述NMOS管Mns的漏極和源極分別與所述PMOS管Mps的源極和漏極相連接，所述PMOS管Mpb1的源極、所述PMOS管Mpb2的源極以及所述PMOS管Mpb3的源極共接并形成所述電流調(diào)節(jié)模塊的電源端，所述PMOS管Mpb1的漏極接所述PMOS管Mps的源極，所述PMOS管Mpb1的柵極同時與所述PMOS管Mpb2的柵極和所述PMOS管Mpb3的柵極相連接，所述PMOS管Mpb2的漏極同時與所述PMOS管Mps的漏極和所述NMOS管Mnb1的漏極相連接，所述電流源Ib的輸入端和輸出端分別接所述PMOS管Mpb3的漏極和等電勢地，所述NMOS管Mnb1的漏極與柵極共接后再與所述NMOS管Mnb2柵極連接，所述NMOS管Mnb2的漏極為所述電流調(diào)節(jié)模塊的電流調(diào)節(jié)端，所述NMOS管Mnb1的源極與所述NMOS管Mnb2的源極共接于等電勢地。