[發明專利]固體攝像元件、固體攝像元件的制造方法和電子裝置無效
| 申請號: | 201210035631.8 | 申請日: | 2012-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN102651375A | 公開(公告)日: | 2012-08-29 |
| 發明(設計)人: | 富樫秀晃 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;武玉琴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 元件 制造 方法 電子 裝置 | ||
1.一種固體攝像元件,其包括:
基板,所述基板是由半導體形成的,并且所述基板包括面對著相反側的第一表面和第二表面;
柵極絕緣膜,所述柵極絕緣膜形成在形成于所述基板中的溝槽上,所述溝槽貫穿所述第一表面和所述第二表面;以及
柵極電極,所述柵極電極埋入在所述溝槽中且所述柵極電極與所述溝槽之間隔著所述柵極絕緣膜,所述柵極電極露出所述基板的所述第二表面側,
其中,從所述基板的所述第二表面到所述柵極電極的所述第二表面側的末端面形成有臺階差。
2.根據權利要求1所述的固體攝像元件,其中,
所述柵極電極的所述第二表面側的所述末端面和所述柵極絕緣膜的所述第二表面側的末端面從所述基板的所述第二表面突出而形成所述臺階差。
3.根據權利要求1所述的固體攝像元件,其中,
所述柵極電極的所述第二表面側的所述末端面從所述基板的所述第二表面凹入而形成所述臺階差。
4.根據權利要求1所述的固體攝像元件,其中,
所述柵極絕緣膜突出于所述基板的所述第二表面和所述柵極電極的所述第二表面側的所述末端面而形成所述臺階差。
5.根據權利要求1所述的固體攝像元件,還包括:
光電二極管,所述光電二極管是為沿著所述第一表面或所述第二表面在面方向上布置的多個像素中的各像素布置的,
其中,對于上述多個像素中的各像素,所述柵極電極形成得包圍所述光電二極管。
6.根據權利要求1所述的固體攝像元件,還包括:
光電二極管,在沿著所述第一表面或所述第二表面的面方向上布置的多個像素單元中,各所述光電二極管布置在所述基板內的不同深度的多個部分中,
其中,所述柵極電極為各所述光電二極管布置,并且所述柵極電極中的至少一個柵極電極形成有所述臺階差。
7.根據權利要求1所述的固體攝像元件,還包括:
配線,所述配線布置于所述基板的所述第二表面側并且連接至所述柵極電極。
8.根據權利要求1所述的固體攝像元件,還包括:
防反射膜,所述防反射膜在所述基板的所述第二表面上與所述基板相接觸。
9.根據權利要求8所述的固體攝像元件,其中,所述防反射膜是硅、鋁、鉿、鉭、鈦或鑭的氧化物絕緣膜。
10.根據權利要求1所述的固體攝像元件,其中,所述柵極絕緣膜是氧化硅膜或氮氧化硅膜。
11.根據權利要求1所述的固體攝像元件,其中,所述柵極電極是由摻磷非晶硅、鋁、鎢、鈦、鈷、鉿或鉭形成的。
12.根據權利要求7所述的固體攝像元件,其中,所述配線是由包含鋁、鎢、鈦、鈷、鉿或鉭的金屬材料或者硅化物材料形成的。
13.根據權利要求7所述的固體攝像元件,其中,所述配線是由ITO、ZnO、In2O3、SnO2或石墨烯形成的透光導電膜。
14.一種電子裝置,所述電子裝置包括固體攝像元件,
其中,所述固體攝像元件為權利要求1~13中任一項所述的固體攝像元件。
15.一種固體攝像元件的制造方法,所述方法包括如下步驟:
在形成于基板中的溝槽上形成柵極絕緣膜,所述基板由半導體形成并且包括面對著相反側的第一表面和第二表面,所述溝槽貫穿所述第一表面和所述第二表面;
在所述溝槽中隔著所述柵極絕緣膜埋入柵極電極,使得所述柵極電極露出所述基板的所述第二表面側;以及
從所述基板的所述第二表面到所述柵極電極的所述第二表面側的末端面形成臺階差。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





