[發(fā)明專利]一種凸面雙閃耀光柵的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210035307.6
• 申請日: 2012-02-16
• 公開（公告）號: CN102540301A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 劉全;吳建宏;陳明輝
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G03F7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種凸面雙閃耀光柵制作方法，該方法在一球冠狀凸面基片上制作凸面雙閃耀光柵，所述凸面雙閃耀光柵的兩個閃耀角分別是A閃耀角和B閃耀角，雙閃耀光柵分為兩個區(qū)，對應A閃耀角的為A光柵區(qū)，對應B閃耀角的為B光柵區(qū)，其特征在于：所述制作方法包括下列步驟：

1)在基片上涂布光刻膠；

2)對所述光刻膠層進行干涉光刻，形成光刻膠光柵；

3)遮擋所述B光柵區(qū)，在A光柵區(qū)上，以所述光刻膠光柵為掩模，對基片進行正向離子束刻蝕，將光刻膠光柵圖形轉移到基片上，形成A光柵區(qū)的同質光柵，刻蝕深度由A閃耀角決定；

4)遮擋所述A光柵區(qū)，在B光柵區(qū)上，以所述光刻膠光柵為掩模，對基片進行正向離子束刻蝕，將光刻膠光柵圖形轉移到基片上，形成B光柵區(qū)的同質光柵，刻蝕深度由B閃耀角決定；

5)清洗基片，去除剩余光刻膠。

6)遮擋B光柵區(qū)，以所述A光柵區(qū)的同質光柵為掩模，對基片進行球面轉動斜向Ar離子束掃描刻蝕，利用同質光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成A閃耀角的閃耀光柵；

7)遮擋A光柵區(qū)，以所述B光柵區(qū)的同質光柵為掩模，對基片進行球面轉動斜向Ar離子束掃描刻蝕，利用同質光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成B閃耀角的閃耀光柵；

8)清洗基片，得到雙閃耀角的閃耀光柵。

2.如權利要求1所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：在所述遮擋A光柵區(qū)或遮擋B光柵區(qū)時，使用的遮擋物固定在該基片上，并和該基片做同步轉動。

3.如權利要求2所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述遮擋物為一表面具有同心圓環(huán)的條紋板，該同心圓環(huán)的條紋板使得A光柵區(qū)和B光柵區(qū)以彼此交替的形式重復排布在基片上。

4.如權利要求1所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述步驟6)或步驟7)中的球面轉動斜向Ar離子束掃描刻蝕包括步驟：

將基片固定于旋轉機架上，該旋轉機架以所述基片的球冠狀凸面所在球心為轉動中心，以該基片的球冠狀凸面所在球徑為轉動半徑，攜帶基片進行旋轉；

采用球形掩模遮蓋基片表面，所述球形掩模與基片表面同心，在該球形掩模表面設有開口，所述基片暴露于所述開口的區(qū)域為刻蝕區(qū)域；

以Ar離子束對上述開口部分的基片進行斜向離子束刻蝕。

5.如權利要求4所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述開口為沿光柵柵線方向的條狀細縫。

6.如權利要求1所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述正向離子束刻蝕采用Ar離子束刻蝕方法或CHF₃反應離子束刻蝕方法中的一種，其具體的工藝參數(shù)為：Ar離子束刻蝕時，離子能量為380eV至520eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為240V至300V，工作壓強為2.0×10^-2pa；CHF₃反應離子束刻蝕時，離子能量為300eV至470eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為200V至300V，工作壓強為1.4×10^-2pa。。

7.如權利要求1所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述A光柵區(qū)的同質光柵或所述B光柵區(qū)的同質光柵的占寬比為0.25-0.65，周期為300至6500nm。

8.如權利要求1所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述A光柵區(qū)的同質光柵和所述B光柵區(qū)的同質光柵同時為矩形光柵或梯形光柵。

9.如權利要求1所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述A光柵區(qū)的同質光柵或所述B光柵區(qū)的同質光柵的刻蝕深度使斜向Ar離子束的刻蝕角度等于從該同質光柵的一頂角斜射到與該頂角相對的底角所需的角度。

10.如權利要求1所述的凸面雙閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述球面轉動斜向Ar離子束掃描刻蝕的工藝參數(shù)為：離子能量380eV至520eV，離子束流70mA至140mA，加速電壓240V至300V，工作壓強2.0×10^-2Pa，刻蝕角度為5°至40°。