[發明專利]提升共軛高分子的發光及發電性能的方法

無效

• 申請號: 201210034810.X
• 申請日: 2012-02-16
• 公開（公告）號: CN102956842A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 楊長謀;陳建中;陳柏村
• 申請（專利權）人: 楊長謀
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 程殿軍

技術領域

?本發明是有關于含有共軛結構(conjugated?structures)的高分子(下稱為共軛高分子,?conjugated?polymers)，特定而言是有關于一種提升共軛高分子的發光及發電性能的方法。

背景技術

分子組成中含有共軛結構(conjugated?structures)的高分子(下稱共軛高分子)由于具有獨特的光電特性、低成本且易于制造，故已受到相當的注意，且在未來的照明、光電及微電子發展上將扮演重要的角色。隨著共軛高分子中的π軌道沿著骨干延伸，其可獲得光子(photons)以產生電子空穴對(在某些情況下或稱為激子(excitons))，如一般所熟知上述電子空穴對會與高分子鏈振動(chain?vibration)產生強烈的互動(電子-聲子互動(electron-phonon?interaction))，而造成自陷作用(self-trapping)和電荷重組(charge?recombination)的阻礙。電子-聲子互動的驅使力，是與激態及周圍背景間所引發的局部庫倫能(Coulomb?energies)提升有關。為減少此位能的增加，橫跨若干個單體單元的激態會與鏈振動產生互動而累積局部分子形變(local?molecular?deformations)。此由于激態的出現所引發的局部分子形變，會對激態本身產生束縛和運動拘束，成為所謂的自縛效應(self-trapping)，讓激態無法進行相位和諧(phase-coherent)的鏈內遷移(phase-conserving?in-chain?migration)，而只能跳躍(hopping)移動，或者在自縛點借由非輻射途徑(non-radiative?pathways)釋放能量，從激態返回原來的低能量狀態。一般而言，此非輻射途徑會消耗掉百分之九十以上的總吸收能。低量子效率(quantum?yields)長久以來，一直是業界開發量產可行的高分子裝置所面臨的最主要困難。

因此，現今仍需一能解決上述困難的技術方案。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種提升共軛高分子的發光及發電性能的方法。

為達到上述目的，本發明提供一種提升共軛高分子的發光及發電性能的方法，其包含預備至少一層共軛高分子層；以及使該至少一層共軛高分子層產生機械形變。其中使該共軛高分子層產生機械形變的步驟包含借由一個或多個壓模對上述至少一層共軛高分子層進行壓印。

本發明的一優點為本發明可使共軛高分子的光致發光強度提升2倍以上。

本發明的另一優點為本發明可使共軛高分子的光致發光強度增加的同時，光色并不一定會改變。

此優點及其它優點從以下較佳實施例的敘述并伴隨后附附圖及前述權利要求書將使讀者得以清楚了解本發明。

附圖說明

本發明可借由說明書中的若干較佳實施例及詳細敘述與后附附圖而得以了解。附圖中相同的組件符號是指本發明中的同一組件。然而，應理解為，本發明的所有較佳實施例僅用以說明而非用以限制權利要求，其中：

圖1a與圖1d為根據本發明的一實施例顯示拉伸前的共軛高分子薄膜的光學顯微鏡圖像和局部形變區的穿透式電子顯微鏡圖像；

圖1b至圖1c為根據本發明的一實施例顯示經軸向拉伸后的共軛高分子薄膜的光學顯微鏡圖像；

圖1e至圖1f為根據本發明的一實施例顯示經軸向拉伸后的共軛高分子薄膜的局部形變區的穿透式電子顯微鏡圖像；

圖2a至圖2f為根據本發明的一實施例顯示經軸向拉伸的共軛高分子薄膜的光致激發(photoluminescence)光譜圖像；

圖3為根據本發明的較佳實施例顯示提升共軛高分子的發光及發電性能的方法的步驟流程圖；

圖4為根據本發明的另一較佳實施例顯示提升共軛高分子的發光及發電性能的方法的步驟流程圖；

圖5為根據本發明的又一較佳實施例顯示提升共軛高分子的發光及發電性能的方法的步驟流程圖；

圖6為根據本發明的一實施例顯示利用原子力顯微鏡所觀察到的納米壓模表面形狀圖形；

圖7為根據本發明的一實施例顯示經納米壓印的共軛高分子薄膜的原子力顯微鏡圖像；

圖8為根據本發明的一實施例顯示經納米壓印及未經納米壓印的共軛高分子薄膜的光致激發(photoluminescence)光譜圖像。

附圖標記說明

101~102?步驟

1011~1012?步驟