[發(fā)明專(zhuān)利]顯示裝置和電子設(shè)備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210032961.1 | 申請(qǐng)日： | 2012-02-14 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102683383A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 寺井康浩;荒井俊明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 索尼公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陳桂香 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示裝置 電子設(shè)備 | ||
1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括薄膜晶體管和布線層，其中，
所述薄膜晶體管包括：
半導(dǎo)體層，
柵極電極，其布置成與所述半導(dǎo)體層相對(duì)，且所述柵極電極的厚度不同于所述布線層的厚度，以及
柵極絕緣膜，其位于所述半導(dǎo)體層與所述柵極電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述柵極電極的厚度小于所述布線層的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述柵極電極的厚度處于20nm～80nm的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，
所述布線層具有多層結(jié)構(gòu)，并且所述多層結(jié)構(gòu)中的至少一層的膜厚度和構(gòu)成材料與所述柵極電極的膜厚度和構(gòu)成材料相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述布線層與所述柵極電極之間至少有一部分構(gòu)成材料是不同的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述布線層的至少一部分是由電阻值低于所述柵極電極的構(gòu)成材料的材料形成的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層是由氧化物半導(dǎo)體膜形成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體層是由結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體形成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述柵極電極和所述半導(dǎo)體層是通過(guò)濺射法形成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，
所述薄膜晶體管具有通過(guò)從基板一側(cè)起依次層疊所述柵極電極、所述柵極絕緣膜、所述半導(dǎo)體層以及源極電極和漏極電極而形成的結(jié)構(gòu)，所述源極電極和所述漏極電極電連接到所述半導(dǎo)體層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，
所述薄膜晶體管具有通過(guò)從基板一側(cè)起依次層疊源極電極和漏極電極、所述半導(dǎo)體層、所述柵極絕緣膜以及所述柵極電極而形成的結(jié)構(gòu)，所述源極電極和所述漏極電極電連接到所述半導(dǎo)體層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，
所述源極電極和所述漏極電極的與所述半導(dǎo)體層相接觸的部分使用含有氧的金屬膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中，
所述源極電極和所述漏極電極的與所述半導(dǎo)體層相接觸的部分使用含有氧的金屬膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，
所述柵極絕緣膜具有由兩種以上的層形成的層疊結(jié)構(gòu)。
15.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括薄膜晶體管和布線層，其中，
所述薄膜晶體管包括：
半導(dǎo)體層，
柵極電極，其布置成與所述半導(dǎo)體層相對(duì)，且所述柵極電極與所述布線層之間至少有一部分構(gòu)成材料是不同的，以及
柵極絕緣膜，其位于所述半導(dǎo)體層與所述柵極電極之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中，
所述布線層具有多層結(jié)構(gòu)，并且所述布線層包括至少一個(gè)由與所述柵極電極相同的構(gòu)成材料并以相同的膜厚度形成的層以及至少一個(gè)由電阻值低于所述柵極電極的構(gòu)成材料的材料形成的層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的顯示裝置，其中，
所述柵極絕緣膜具有由兩種以上的層形成的層疊結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的顯示裝置，其中，
所述薄膜晶體管具有通過(guò)從基板一側(cè)起依次層疊所述柵極電極、所述柵極絕緣膜、所述半導(dǎo)體層以及源極電極和漏極電極而形成的結(jié)構(gòu)，所述源極電極和所述漏極電極電連接到所述半導(dǎo)體層。
19.根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的顯示裝置，其中，
所述薄膜晶體管具有通過(guò)從基板一側(cè)起依次層疊源極電極和漏極電極、所述半導(dǎo)體層、所述柵極絕緣膜以及所述柵極電極而形成的結(jié)構(gòu)，所述源極電極和所述漏極電極電連接到所述半導(dǎo)體層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中，
所述源極電極和所述漏極電極的與所述半導(dǎo)體層相接觸的部分使用含有氧的金屬膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
