[發明專利]埋入式字線及其制作方法

無效

• 申請號: 201210030066.6
• 申請日: 2012-02-10
• 公開（公告）號: CN103137561A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 黃琦雯;蘇國輝
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/768;H01L23/50
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

技術領域

本發明關于半導體技術領域，特別是關于一種DRAM器件中的埋入式字線的制作方法。

背景技術

在制造高階DRAM器件時，為了增加存儲單元的晶體管積集度及改善器件特性，應用埋入式字線的技術已為常態。為了降低阻值，前述的埋入式字線通常會利用雙層金屬，例如，氮化鈦及鎢金屬。

圖1例示出一種公知DRAM器件中的埋入字線的制作流程。如圖1所示，先提供一半導體襯底或底材，并至少形成一凹陷溝槽(步驟10)，然后，于襯底及凹陷溝槽表面全面沉積一氮化鈦層(步驟11)，再全面沉積一鎢金屬層，并填滿凹陷溝槽(步驟12)，最后以原位干蝕刻(in-situ?dry?etching)將氮化鈦/鎢雙層金屬的上半部蝕除，形成埋入式字線(步驟13)。

然而，上述公知技藝的缺點在于原位干蝕刻前進行全面的氮化鈦沉積工藝以及鎢金屬沉積工藝將會對襯底引入較大的應力，而造成工藝良率問題。例如，應力可能造成線彎曲或變形問題。此外，上述先前技藝亦可能造成溝槽填入問題，特別是當凹陷溝槽的尺寸越縮越小。

發明內容

本發明的主要目的之一在提供一種改良的DRAM器件中的埋入式字線的制作方法，以解決公知技藝的不足與缺點。

根據本發明的一實施例，本發明提供一種埋入式字線的制作方法，包含有以下步驟：提供一襯底，其上形成有至少一凹陷溝槽；席狀沉積一襯墊層于所述襯底及所述凹陷溝槽的表面；將所述襯墊層的一上半部自所述凹陷溝槽中去除，顯露出所述凹陷溝槽的一側壁；以及選擇性的沉積一鎢金屬層于所述襯墊層上。

根據本發明的另一實施例，本發明提供一種埋入式字線，包含有：一襯底，其上有至少一凹陷溝槽，所述凹陷溝槽包含有一底部表面及至少一側壁；一絕緣層，位于所述底部表面及所述側壁上；一襯墊層，位于所述凹陷溝槽內，覆蓋所述底部表面及所述側壁的一下部，所述襯墊層具有一清潔表面，所述清潔表面會經過含氫氟酸或磷酸的溶液清洗；以及一鎢金屬層，選擇性的沉積在所述襯墊層的清潔表面。

為讓本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施方式，并配合所附圖式，作詳細說明如下。然而如下的優選實施方式與圖式僅供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制者。

附圖說明

本説明書含有附圖并于文中構成了本說明書的一部分，俾使閱者對本發明實施例有進一步的了解。隨附圖示描繪了本發明一些實施例并連同本文描述一起說明了其原理。在所述圖示中：

圖1例示了一種公知DRAM器件中的埋入字線的制作流程。

圖2A至圖2C為依據本發明優選實施例所繪示的形成DRAM器件中的埋入式字線的方法示意圖。

須注意本說明書中的所有圖示皆為圖例性質。為了清楚與方便圖示說明，圖示中的各部件在尺寸與比例上可能會被夸大或縮小地呈現。圖中相同的參考符號一般而言會用來標示修改后或不同實施例中對應或類似的特征。

其中，附圖標記說明如下：

1????????制作流程??????121???????襯墊層

10～13???步驟??????????120a??????水平段

100??????半導體襯底????120b??????垂直段

102??????凹陷溝槽??????210、220??外圍柵極結構

102a?????底部表面??????230???????墊層

102b???側壁??????320????鎢金屬層

110????絕緣層????120????襯墊層

具體實施方式

在下文的細節描述中，將參照附圖說明，所述附圖中的內容亦構成說明書細節描述的一部份，并且以可實行所述實施例的特例描述方式來繪示。下文實施例已描述足夠的細節俾使所屬領域的一般技藝人士得以具以實施。閱者須了解到本發明中亦可采行其它的實施例，或是在不悖離文中所述實施例的前提下作出任何結構性、邏輯性、及電性上的改變。因此，下文的細節描述將不欲被視為是一種限定，相反的，所包含的實施例將由隨附的權利要求項來加以界定。