[發明專利]鈍化后互連結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201210028995.3
• 申請日: 2012-02-09
• 公開（公告）號: CN103094246A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 吳逸文;林正怡;何明哲;劉重希
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/488;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.半導體器件，包括：

半導體襯底；

鈍化層，位于所述半導體襯底的上面；

互連層，位于所述鈍化層的上面并且包括線區域和接合焊盤區域；

導電層，形成于所述互連層的表面上，其中，所述導電層包含錫(Sn)；

保護層，形成于所述導電層上并且包括開口，所述開口暴露出位于所述接合焊盤區域上的一部分所述導電層；以及

焊料凸塊，形成于所述保護層的所述開口中并且被配置成與所述導電層電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電層包括金屬間化合物(IMC)層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述保護層包括聚合物層。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述互連層包括銅層或銅合金層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括位于所述互連層和所述鈍化層之間的另一保護層。

6.一種封裝組件，包括通過焊料結構與襯底電連接的半導體器件，所述半導體器件包括：

鈍化后互連(PPI)結構，所述PPI結構包括線區域和接合焊盤區域；

金屬間化合物(IMC)層，位于所述PPI結構的所述線區域和所述接合焊盤區域的表面上，其中，所述IMC層包含錫和銅；以及

保護層，位于所述IMC層上并且暴露出位于所述PPI結構的所述接合焊盤區域上的一部分所述IMC層，

其中，所述焊料結構形成于所述IMC層的暴露部分上。

7.根據權利要求6所述的封裝組件，其中，所述襯底包括導電跡線。

8.一種方法，包括：

在半導體襯底上面形成鈍化層；

在所述鈍化層上面形成互連層，其中，所述互連層包括線區域和接合焊盤區域；

采用浸鍍工藝在所述互連層的表面上形成包含錫的金屬層；

在所述金屬層上形成保護層；以及

在所述保護層中形成開口以暴露出位于所述互連層的所述接合焊盤區域上的一部分所述金屬層。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括在所述保護層的所述開口中形成焊料凸塊，以及在所述互連層和所述保護層之間形成包含錫和銅的金屬間化合物層。

10.根據權利要求9所述的方法，進一步包括對所述焊料凸塊實施熱回流工藝，以及在所述互連層和所述焊料凸塊之間形成包含錫和銅的金屬間化合物層。