[發明專利]在金屬基板上制造高效率紫外線垂直式發光二極管的方法無效
| 申請號： | 201210025043.6 | 申請日： | 2008-05-02 |
| 公開（公告）號： | CN102694083A | 公開（公告）日： | 2012-09-26 |
| 發明（設計）人： | 陳長安 | 申請（專利權）人： | 旭明光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默聞 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 基板上 制造 高效率 紫外線 垂直 發光二極管 方法 | ||
1.一種制造一垂直式發光二極管結構的方法，包括：
在一藍寶石基板上成長一犧牲性GaN層；
在所述犧牲性GaN層上形成一n型摻雜層；
在所述n型摻雜層上形成一有效層；
在所述有效層上形成一p型摻雜層，其中在所述犧牲性GaN層上的所述n型摻雜層、所述有效層及所述p型摻雜層包括AlInGaN及A1GaN的至少一者；
在所述p型摻雜層上沉積一或多層金屬基板；
移除所述藍寶石基板；及
移除所述犧牲性GaN層。
2.如權利要求1的制造一垂直式發光二極管結構的方法，其中所述犧牲性GaN層包括n型摻雜、無摻雜或p型摻雜GaN層。
3.如權利要求1的制造一垂直式發光二極管結構的方法，其中以鎂、硅及鋅中至少一者摻雜所述犧牲性GaN層。
4.如權利要求1的制造一垂直式發光二極管結構的方法，其中所述犧牲性GaN層具有介于10nm與10μm之間的厚度。
5.如權利要求2的制造一垂直式發光二極管結構的方法，其中所述金屬基板包括Cu、Ni、Au、Ag、Co、Pd、Pt、W、Cr、Ti或其合金中至少一者。
6.如權利要求1的制造一垂直式發光二極管結構的方法，其中沉積所述一或多層金屬基板包括電化學沉積法、無電化學沉積法、化學汽相沉積法、等離子輔助化學汽相沉積法、物理汽相沉積法、蒸發或等離子噴涂技術中至少一者。
7.如權利要求1的制造一垂直式發光二極管結構的方法，更包括在所述p型摻雜層與所述金屬基板之間沉積一反射層。
8.如權利要求7的制造一垂直式發光二極管結構的方法，更包括在所述p型摻雜層與所述反射層之間沉積一導電透明層。
9.如權利要求1的制造一垂直式發光二極管結構的方法，其中移除所述犧牲性GaN層包括濕法刻蝕、干法刻蝕、機械拋光及化學機械研磨法中至少一者。
10.如權利要求1的制造一垂直式發光二極管結構的方法，其中所述p型摻雜層及所述n型摻雜層均不包括GaN。
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