[發(fā)明專利]橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210024752.2
• 申請(qǐng)日: 2012-02-03
• 公開（公告）號(hào): CN103247676B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉金華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時(shí)云

1.一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，包括：

襯底；

形成于所述襯底中的深阱以及形成于所述深阱上并與所述深阱相接觸的淺阱，所述深阱和淺阱的摻雜類型相反；

刻蝕所述淺阱和部分厚度的深阱形成的凹槽；

形成于所述淺阱中的漏極；

形成于所述凹槽中且位于所述漏極兩側(cè)的柵極；

形成于所述柵極下方的深阱中的源極，所述漏極和源極的摻雜類型與所述淺阱的摻雜類型相同，且所述漏極和源極的摻雜濃度大于所述淺阱的摻雜濃度。

2.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，其特征在于，所述深阱為P阱，所述淺阱為N阱。

3.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，其特征在于，所述深阱為N阱，所述淺阱為P阱。

4.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，其特征在于，所述的漏極厚度范圍為50nm～80nm。

5.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，其特征在于，所述的淺阱厚度范圍為20nm～250nm。

6.一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的制造方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底中依次形成深阱和與所述深阱相接觸的淺阱；

刻蝕所述淺阱和部分厚度的深阱形成凹槽；

在所述凹槽中形成柵極；

進(jìn)行離子注入在所述淺阱中形成漏極，并在所述柵極下方的深阱中形成源極，所述漏極和源極的摻雜類型與所述淺阱的摻雜類型相同，且所述漏極和源極的摻雜濃度大于所述淺阱的摻雜濃度。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述襯底中依次形成深阱和淺阱之后，還包括：在所述襯底上依次形成緩沖層和掩膜層。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述襯底中依次形成深阱和淺阱之前，還包括：在所述襯底上依次形成緩沖層和掩膜層。

9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述緩沖層為氧化硅，所述掩膜層為氮化硅。

10.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述掩膜層的厚度大于緩沖層的厚度。

11.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成凹槽的刻蝕步驟中，刻蝕去除的深阱的厚度范圍為50nm～200nm。

12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述凹槽中形成柵極的步驟包括：

在所述凹槽的底部和側(cè)壁形成隔離層；

去除所述凹槽底部的隔離層；

在所述凹槽和掩膜層上依次形成柵氧化層和多晶硅薄膜；

刻蝕所述柵氧化層和多晶硅薄膜以在所述凹槽中形成柵極。