[發明專利]半導體裝置及使用了該半導體裝置的裝置

無效

• 申請號: 201210023895.1
• 申請日: 2012-02-03
• 公開（公告）號: CN102646723A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 寺川武士;松吉聰;成田一豐;森睦宏
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H02K11/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張寶榮

1.一種半導體裝置，具備肖特基結和pn結，其特征在于，

所述pn結設置在整流區域和護圈部，

所述整流區域的pn結部的擊穿電壓比所述肖特基結及所述護圈部的pn結低。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述整流區域的pn結部將具有p或n中的任一種導電型的第一擴散層和與該p或n中的任一種導電型相反的導電型的層接合，所述整流區域的pn結部的接合面中，在所述相反的導電型的層的一側具備第二擴散層，該第二擴散層為與該相反的導電型的層相同的導電型，且雜質濃度比該相反的導電型的層高。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述整流區域的pn結部存在有多個。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在構成所述肖特基結的接合面的半導體側還設有pn結。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述護圈部的外側配置有溝道截斷環。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

構成所述肖特基結的接合面的半導體側的薄片電阻為40kΩ/□以上。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

構成所述肖特基結的電極為MoSi₂。

8.一種交流發電機二極管，具備權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置和設置在該半導體裝置的兩端的電極，其特征在于，

利用焊料將所述半導體裝置與所述電極連接，

所述半導體裝置及所述焊料被樹脂密封。

9.根據權利要求8所述的交流發電機二極管，其特征在于，

還具備支承所述半導體裝置及所述樹脂的支承體，

該支承體具備用于保持所述樹脂的槽。

10.一種旋轉電機系統，其特征在于，具備：

旋轉電機，其具備轉子及隔開規定的間隙與該轉子對置配置的定子；

整流用的二極管，其與設置在所述定子上的定子繞組連接，且具有將交流電流切換為直流電流的權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置。

11.根據權利要求10所述的旋轉電機系統，其特征在于，

所述定子具有轉子繞組，該轉子繞組具備對施加給該轉子繞組的電壓進行控制的調節器，

該調節器與所述二極管的直流側電連接。

12.一種車輛，其特征在于，具備：

權利要求10或11所述的回轉電機系統；

與該回轉電機系統電連接的負載。